11月27日上午，“微波射频与5G移动通信” 分会如期召开。本届分会由苏州锴威特半导体股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、英诺赛科科技有限公司协办。
氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，在5G通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。分会关注氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及HEMT器件在移动通信中的应用等各方面，呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。
台湾长庚大学教授邱显钦、德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所部门技术部门经理Peter BR?CKNER、中兴无线技术总工及技术委员会专家刘建利、西安电子科技大学教授刘志宏、北京国联万众科技有限公司副总经理张志国、南京电子器件研究所高级工程师张凯、中国电子科技集团第41研究所张光山、河北半导体研究所王毅等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。河北半导体研究所副所长蔡树军、苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同主持了本次分会。
河北半导体研究所王毅做了题为“一种采用氮化镓MMIC和的分离FET器件的HMIC封装技术的便携X波段功率放大器”的主题报告，结合他具体的实验设计和分析，介绍了GaN高功率高增益固态功率放大器的设计过程，包括多种创新的设计方法。平衡的驾驶阶段，具有良好的vswr和稳定性。集成了偏置网络的紧凑型功率级拓扑，设计开发了具有9-10GHz工作频带和130W输出功率的放大器。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
