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易美芯光(北京)科技有限公司梁越:电荷转移对量子点电致发光器件寿命的影响

放大字体  缩小字体 发布日期:2019-11-28 来源:中国半导体照明网浏览次数:336
    11月25-27日,由深圳市龙华区科技创新局特别支持,国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办,深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)在深圳会展中心召开。 

11月26日下午,“显示工程应用” 分会如期召开。中国光学光电子行业协会发光二极管显示应用分会秘书长洪震,德国爱思强股份有限公司高级产品市场经理Arthur BECKERS,华灿光电股份有限公司副总裁李鹏,易美芯光(北京)科技有限公司梁越,河北工业大学教授徐庶,TCL工业研究院新型显示技术部林智远,雷曼光电技术研究中心总监屠孟龙,山东晶泰星光电科技有限公司首席运营官孔一平,北京集创北方科技股份有限公司产品经理黄纹纲,深圳市华星光电技术有限公司高工、博士黄卫东等来自国内外产业链不同环节的代表嘉宾联袂带来精彩报告。

易美芯光

量子点电致发光器件(QLED) 逐渐成为一种新兴的显示技术,其工作寿命是限制量子点显示器发展的关键参数。易美芯光(北京)科技有限公司梁越带来了题为“电荷转移对量子点电致发光器件寿命的影响”的主题报告,报告指出,为了探究QLED退化的原因,研究在电子传输层和量子点发光层之间引入绝缘层,实验证明QLED的可靠性得到了提高,证明PMMA可以减少界面处电荷转移并减少非辐射复合,从而减慢QDs-ZnO层的老化。与相同条件下制备的QLED基础器件相比,加入1.0 mg / ml的PMMA所制备的器件,最长使用寿命为28.7h,时长提高了50%。主要研究并实验验证了界面电荷转移对器件老化的影响,为进一步提高量子点器件寿命奠定了基础。

 

 (内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)

 

 
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