CASA发布SiC、GaN痕量杂质SIMS检测方法两项团体标准
发布日期：2019-11-28
来源：中国半导体照明网作者：CASA浏览次数：431
2019年11月25日，第三代半导体产业技术创新战略联盟发布两项项联盟标准T/CASA 009-2019《半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法》、T/CASA0010-2019《氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法》。两项标准均由北京科技大学材料科学与工程学院齐俊杰教授牵头，按照CASAS标准制定程序（立项、征求意见稿、委员会草案、发布稿），反复斟酌、修改、编制而成。标准的制定得到了很多CASA标准化委员会正式成员的支持。
半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，两项标准的制定对第三代半导体材料的特征参数评价及产业应用具有较强的积极作用。
T/CASA 009-2019《半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法》主要起草单位有北京科技大学、中国科学院半导体研究所、北京国联万众半导体有限公司、山东大学、河北同光晶体有限公司、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、广东芯聚能半导体有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中科钢研节能科技有限公司、深圳第三代半导体研究院。该标准规定了用二次离子质谱仪测定半绝缘碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及分布的方法，适用于半绝缘碳化硅材料中痕量杂质（铝、钒）浓度及分布的分析。
T/CASA 010-2019《氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法》主要起草单位有北京科技大学、中国科学院半导体研究所、北京国联万众半导体有限公司、深圳第三代半导体研究院、中国科学院苏州纳米所、北京大学、广东芯聚能半导体有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中科钢研节能科技有限公司、济南力冠电子科技有限公司。该标准规定了用二次离子质谱仪测定半导体氮化镓材料中痕量杂质（硅、铝、锌、铁）浓度及分布的方法，适用于半导体氮化镓材料中痕量杂质（硅、铝、锌、铁）浓度及分布的分析。
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