就如，江风益院士在第十六届中国国际半导体照明论坛暨2019国际第三代半导体论坛（SSLCHINA&IFWS2019）开幕大会上说的那样：“LED技术仍是一片蓝海，固态照明有更高的品质需求，不同技术之间融合可催生更多的应用方向，LED技术本身仍存在大量单元技术有待攻克。”
11月27日，“半导体照明芯片、封装及模组技术II”分会作为SSLCHINA&IFWS2019论坛的重要技术分会之一，由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，得到了深圳市龙华区科技创新局、木林森、中科潞安、华灿光电、中微公司、欧司朗、有研稀土等单位的鼎力支持。会议由广东德豪润达电气股份有限公司LED芯片事业部副总裁莫庆伟博士和中国科学院半导体研究所伊晓燕研究员共同主持。
会上，广东省半导体产业技术研究院首席科学家龚政教授分享了《Micro-LED从单彩显示到全彩显示》主旨报告。他表示，目前Micro-LED已经引起全世界显示面板厂商的注意，被业界誉为下一代显示技术，我相信它对我们将来的生活会产生深远的影响。他认为未来半导体显示技术的发展将向高度集成化和高度智能化的方向发展；分辨率会越来越高，成本会越来越低；从技术发展的角度讲，Micro-LED技术将从单色向全彩快速发展；从市场角度来看，在未来的三到五年内，我相信Micro-LED技术会在头盔显示、智能手表、以及电视等方面取得突破。总的来说，这些发展趋势基本都是由显示技术本身发展的要求以及市场需求来决定的。
日本铃木工艺技术员平木和雄先生分享《针对小尺寸 LED衬底的各向异性导电胶和夹环的简化工艺》研究报告。他介绍了微型LED低温倒装芯片封装工艺。新材料各向异性导电胶（ACP）和直接夹持环提出了一种新型的倒装芯片模具连接工艺。ACP和聚环氧氯醚具有抗氧化、破断保护、无热损伤、无冲击、无压力、制造工艺最小化等优点。握把环上的数千个芯片一次浸到ACP中。然后芯片被直接推到基板上。用回流炉将ACP和芯片固化在基板上，即可完成焊接和下充。
福州大学孙捷教授分享了《面向下一代主动驱动、高分辨GaNμ-LED显示》研究报告。他表示，GaNμ-LED被认为是下一代显示的核心技术之一，以它为基础的显示器在分辨率、速度、功耗、3D效果、与其它电子设备的集成度等方面都优于现在的显示器。因此，至少在部分领域，例如车载显示、AR头盔，它将率先引导技术革命。然而，有源矩阵（AM）μ-LED显示器的每个像素都需要有一个驱动单元并与之键合。目前，这是通过较复杂的技术来实现的，如巨量转移或整片晶圆转移和键合。本次报告中，我首先将重点放在设计/制造基于GaN-μLED阵列的主动驱动的0.55英寸、1323PPI微型显示器上，该器件是我们联合国内数家兄弟单位，采用整片晶圆巨量转移和键合技术，将μ-LED与Si CMOS驱动电路结合起来而制成的。该工艺经进一步优化即可实现工业化应用。
南昌大学张建立研究员分享了《面向长波段与低电流密度的硅基氮化镓 LED》研究报告。他表示，GaN基LED在蓝光范围取得成功后，正分别向短波长紫外波段和长波长黄红光波段发展。2016年，本团队成功研制出硅衬底GaN基黄光LED，在20A/cm2驱动下，565nm光功率效率达到21.4%；近几年来，光效持续提升，已达27.9%(180 lm/W)，并成功应用于无需蓝光激发、无荧光粉、纯LED路灯、氛围灯和景观照明; 波长590nm橙光LED光效已达13.5%。另一方面，本团队还发展了在低电流密度下高效工作的LED技术，在0.01A-1A/cm2范围内，540nm绿光LED峰值光效超过60%(350lm/W)，571nm黄光LED峰值光效达到47.9%(283lm/W)。低电流密度下高效GaN/Si基红光LED值得期待，未来可望在Micro-LED领域有作为。
中国科学院半导体研究所副研究员张逸韵分享了《InGaN基超高能效LED核心材料及器件技术研究进展》报告。报告重点介绍近阶段关于InGaN基超高光效LEDs研究进展情况。通过使用纳米图形衬底、金属反射镜、新型ITO透明电极、电子阻挡层等技术，InGaN LED的外量子效率被显著提高，达到83%。, 5.85A/cm2注入条件下，LED(6*20mil2，色温4059K)峰值光效达到252.02lm/W , 100A/cm2大电流注入条件下 LED光效达到141.01lm/W。通过薄膜LED结构设计，2 mm2 LED的光输出功率达到2W，工作电压低至3V，100A/cm2注入条件下光效达到128.42lm/W。
西安交通大学助理研究员张敏妍在《空气腔结构在GaN基垂直结构LED工艺中的影响》研究报告。研究发现，垂直结构GaN基发光二极管（LED）在提高散热和降低电流拥挤效应方面具有很大优势，其制备工艺中激光剥离（LLO）技术是非常重要的工艺之一。由于剥离过程中产生的气流冲击，会破坏外延层从而影响LED器件性能。因此，我们通过激光加工的方法在LED外延层中嵌入了空气腔结构，该结构不仅可以降低LED外延层位错密度，而且可以改善垂直结构芯片制备工艺中激光剥离芯片龟裂和剥离损伤问题。
深圳埃克斯工业自动化有限公司首席技术官刘斌分享了《通过新一代智能制造系统提升三代半导体生产效率》研究报告。他表示，为半导体和泛半导体行业提供一整套的解决方案，通过智能生产解决方案，降低Cycle Time，节约更多成本，提升良品率，为企业创造更高利润。在技术方案上，埃克斯提供从调度、控制、模拟、优化、监控、诊断及维护等20多个模块的完整的智能制造解决方案，一个模块可以单独出来部署和使用，也可以集成整个平台当中，其中智能设备监控和维护预警模块，埃克斯可实现提前一个小时预警，准确度达到90%。总体来说，埃克斯可以实现就是通过技术减少宕机时间，提升设备利用率，从而提升整体生产目的，据悉，埃克斯目前技术和产品可为企业提升10%-50%的产能。【根据现场资料整理，如有出入敬请谅解！】
