LED产业从未停止技术创新步伐，尤其紧跟以智能照明、健康照明、按需照明及MicroLED等新型显示相关的新技术一直都是产业追逐的焦点。半导体照明芯片、封装及模组技术工艺及技术的革新都能引发产业极大关注。
11月25--27日，第十六届中国国际半导体照明论坛暨2019国际第三代半导体论坛（SSLCHINA&IFWS2019）在深圳成功召开。“半导体照明芯片、封装及模组技术II”分会作为SSLCHINA&IFWS2019论坛的重要技术分会之一，由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，得到了深圳市龙华区科技创新局、木林森、中科潞安、华灿光电、中微公司、欧司朗、有研稀土等单位的鼎力支持。
会上，邀请到了福州大学孙捷教授分享了《面向下一代主动驱动、高分辨GaNμ-LED显示》研究报告。孙捷教授长期从事半导体和二维材料器件研究。他的研究方向主要包括：III-V族半导体生长及器件，特别是氮化镓基材料和器件，微LED显示，固态照明，以及二维材料（石墨烯、二维半导体、h-BN）和器件。发表100余篇SCI论文，h-因子 20（WebofScience），授权6项专利，做约20次邀请报告。
他表示，GaNμ-LED被认为是下一代显示的核心技术之一，以它为基础的显示器在分辨率、速度、功耗、3D效果、与其它电子设备的集成度等方面都优于现在的显示器。因此，至少在部分领域，例如车载显示、AR头盔，它将率先引导技术革命。然而，有源矩阵（AM）μ-LED显示器的每个像素都需要有一个驱动单元并与之键合。目前，这是通过较复杂的技术来实现的，如巨量转移或整片晶圆转移和键合。本次报告中，我首先将重点放在设计/制造基于GaN-μLED阵列的主动驱动的0.55英寸、1323PPI微型显示器上，该器件是我们联合国内数家兄弟单位，采用整片晶圆巨量转移和键合技术，将μ-LED与Si CMOS驱动电路结合起来而制成的。该工艺经进一步优化即可实现工业化应用。
随后，他介绍了CVD石墨烯在GaN基μ-LED器件中的应用，例如作为LED的透明电极。除此之外，还可以将GaNμ-LED与石墨烯场效应驱动晶体管集成。在这种情况下，石墨烯不仅是透明电极，还可驱动μ-LED像素。目前，我们正在设计更完备的驱动方案。我想传达的关键信息是，二维材料与GaN的结合在生产μ-LED微显示器方面是有独特优势的，并且原则上可以规避μ-LED的转移、键合，这在电子工业中是很有研究价值的。其他新的二维半导体材料也可与GaN集成并发挥各自的优点。【根据现场资料整理，如有出入敬请谅解！】
