LED产业从未停止技术创新步伐，尤其紧跟以智能照明、健康照明、按需照明及MicroLED等新型显示相关的新技术一直都是产业追逐的焦点。半导体照明芯片、封装及模组技术工艺及技术的革新都能引发产业极大关注。
11月25--27日，第十六届中国国际半导体照明论坛暨2019国际第三代半导体论坛（SSLCHINA&IFWS2019）在深圳成功召开。“半导体照明芯片、封装及模组技术II”分会作为SSLCHINA&IFWS2019论坛的重要技术分会之一，由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，得到了深圳市龙华区科技创新局、木林森、中科潞安、华灿光电、中微公司、欧司朗、有研稀土等单位的鼎力支持。
会上，邀请到了南昌大学张建立研究员分享了《面向长波段与低电流密度的硅基氮化镓 LED》研究报告。他2014年毕业于南昌大学材料物理与化学专业，获工学博士学位。现为南昌大学国家工程技术研究中心研究员，教育部发光材料与器件工程研究中心主任，南昌大学“双一流”学科建设发光新材料技术方向负责人。主要从事硅衬底GaN相关研究，包括MOCVD装备研制、硅上GaN材料生长、InGaN长波段LED制备、LED材料与器件分析、多基色LED封装、LED可见光通信、Micro-LED微显示技术等。主持国家重点研发计划课题、国家自然科学基金青年基金各1项。发表论文、论著20余篇，获授权发明专利6项。
他表示，GaN基LED在蓝光范围取得成功后，正分别向短波长紫外波段和长波长黄红光波段发展。2016年，本团队成功研制出硅衬底GaN基黄光LED，在20A/cm2驱动下，565nm光功率效率达到21.4%；近几年来，光效持续提升，已达27.9%(180 lm/W)，并成功应用于无需蓝光激发、无荧光粉、纯LED路灯、氛围灯和景观照明; 波长590nm橙光LED光效已达13.5%。
另一方面，本团队还发展了在低电流密度下高效工作的LED技术，在0.01A-1A/cm2范围内，540nm绿光LED峰值光效超过60%(350lm/W)，571nm黄光LED峰值光效达到47.9%(283lm/W)。低电流密度下高效GaN/Si基红光LED值得期待，未来可望在Micro-LED领域有作为。【根据现场资料整理，如有出入敬请谅解！】
