2019年11月27日下午，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办的第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心顺利落下帷幕。
本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，并得到深圳市龙华区科技创新局特别支持。国家科学技术部高新技术司、国家科学技术部国际合作司、国家工业和信息化部原材料工业司、国家节能中心、国家新材料产业发展专家咨询委员会、深圳市科技创新委员会等大力支持。深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。
报告指出，化合物半导体有三大主要应用领域，包括微波射频、电力电子和光电子。2023射频元件市场预计达到350亿美元其中，2017-2023年，滤波器 CARG 达19%, PA CARG达 7%。高集成度手机 FEM 已是中高端手机必备。通信市场是氮化镓射频器件增长的主要驱动力，2023年氮化镓射频市场规模13亿美元，通信市场是最大的市场。SiC 在高功率转化方面应用广泛，GaN 在高频转换方面应用广泛。
2023年SiC功率电子器件市场预计超15亿美元，电动汽车已迎来爆炸式成长 (OBC, Tesla PCU, 充电桩), 未来是碳化硅电力电子主要成长动力，马达驱动，电源供应，光伏，不断电系统等需求亦持续增长。
VCSEL迎来爆发式增长，Datacom是VCSEL第一个大规模应用；当前消费类应用需求大增， 未来汽车和工业应用将产生更大的需求。VCSEL技术升级比以往更快，在消费类市场带动下，2023市场规模年达到35亿美金，未来6年的复合成长率有望接近50%。
陈东坡表示，三安光电将围绕云(数据中心)、管（通讯网络）、端（用户终端）等提供解决方案。目前三安光电在Mini /micro LED、射频、滤波器、电力电子、光通信等领域均有进展。其中，Micro-LED研究方面，已开发出直径为20μm的Micro LED产品，三安还将生产4μmLED和10μm的LED倒装芯片。计划在2019年底前开始生产用于智能可穿戴设备、100英寸以上大尺寸面板和汽车尾灯等小尺寸面板的Micro LED产品。
集成氮化镓功率器件，基于较为成熟的650V工艺，扩展其它领域的应用（大电流、高压/低压等）。(下一阶段) 针对200/100V技术，开发更具有成本竞争力的产品。
SiC/GaN技术方面，三安可以一站式提供衬底，外延, 芯片制造及封装、成品与代工制造。产业化推进方面，现有年产能9.6万片/年(6吋)，全面达产后将形成36万片/年的规模。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
