LED产业从未停止技术创新步伐，尤其紧跟以智能照明、健康照明、按需照明及MicroLED等新型显示相关的新技术一直都是产业追逐的焦点。半导体照明芯片、封装及模组技术工艺及技术的革新都能引发产业极大关注。
11月25--27日，第十六届中国国际半导体照明论坛暨2019国际第三代半导体论坛（SSLCHINA&IFWS2019）在深圳成功召开。“半导体照明芯片、封装及模组技术II”分会作为SSLCHINA&IFWS2019论坛的重要技术分会之一，由国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办，得到了深圳市龙华区科技创新局、木林森、中科潞安、华灿光电、中微公司、欧司朗、有研稀土等单位的鼎力支持。
会上，邀请到了西安交通大学助理研究员张敏妍在《空气腔结构在GaN基垂直结构LED工艺中的影响》研究报告。她2018年获西安交通大学博士学位，正在致力于GaN基LED外延生长和制备。
研究发现，垂直结构GaN基发光二极管（LED）在提高散热和降低电流拥挤效应方面具有很大优势，其制备工艺中激光剥离（LLO）技术是非常重要的工艺之一。由于剥离过程中产生的气流冲击，会破坏外延层从而影响LED器件性能。因此，我们通过激光加工的方法在LED外延层中嵌入了空气腔结构，该结构不仅可以降低LED外延层位错密度，而且可以改善垂直结构芯片制备工艺中激光剥离芯片龟裂和剥离损伤问题。【根据现场资料整理，如有出入敬请谅解！】
