尽管InGaN基蓝光和绿光LED都已商用量产，但红光LED通常基于AlInGaP材料或颜色转换的红光。对于AR应用来说，由于AlInGaP材料的严重边缘效应和颜色转换过程造成的腔损耗，实现高效超小间距红色像素（<5 μm）仍然遥不可及。
来源：Plessey
与现有的基于AlInGaP的红光相比，基于InGaN的红光具有更低的制造成本、可扩展至更大的200 mm或300 mm晶圆以及更好的热/冷系数，因此具有极大的吸引力。然而，由于铟含量高，在有源区中引起显著的应变，从而降低了晶体质量并产生了许多缺陷，因此，使用InGaN材料实现红色光谱发射具有挑战性。Plessey通过使用专有的应变设计的有源区来制造高效的InGaN Red LED，成功克服了这些挑战。
Plessey的InGaN Red Micro LED在10 A/cm2时的波长为630 nm，半峰全宽为50 nm，热冷系数超过90％，并且在超小像素间距中，其效率高于传统的AlInGaP和颜色转换的红光。有了这个结果，Plessey现在可以制造天然的蓝、绿和红InGaN材料，或者使用其GaN-on-Silicon平台调谐400至650 nm的波长。
来源：Plessey
Plessey外延和高级产品开发总监Wei Sin Tan表示：“这是一个令人振奋的结果，因为它为低成本制造超小间距和高效的Red InGaN像素提供了一条途径，将加速Micro LED在AR微型显示器和移动/大型显示器应用中的采用。”
