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台湾交通大学特聘教授郭浩中:新型深紫外LED封装发光技术提升的新方法

放大字体  缩小字体 发布日期:2019-12-11 来源:中国半导体照明网浏览次数:426
 第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势,展现出巨大的应用潜力。对于大多数固态照明技术,尤其是对于深紫外发光二极管(DUV-LED)而言,提高光提取效率(LEE)具有非常重要的意义。

近日,由深圳市龙华区科技创新局特别支持,国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办,深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2019)暨2019国际第三代半导体论坛(IFWS 2019)在深圳会展中心召开。
 
期间,山西中科潞安紫外光电科技有限公司与中微半导体设备(上海)股份有限公司协办的“固态紫外器件技术”分会如期召开。会上,台湾交通大学特聘教授郭浩中做了《新型深紫外LED封装发光技术提升》的报告,通过报告阐述了紫外封装技术的方面最新进展,并且提出针对UVC的封装方面最新研究成果。
 
郭浩中教授在III-V光学设备/材料(砷化镓,磷化铟,氮化镓)有超过20年的研究经验。他是2015年美国电子电气工程师协会(IEEE)会士,2012年美国光学学会(OSA)会士,2013年国际光学工程学会(SPIE)院士,2012年英国工程技术学会(IET)会士。
 
报告中郭浩中提出了新的封装形式和方法:1.提出了一种含硅油和半球体的液体包装结构用于双色LED设备的镜头。2.采用这种设计,光输出可以提高70.7%,并且与传统封装相比,热阻可降低30.3%结构。3.可靠性试验后,液体包装的光输出维护200小时的双色发光二极管仍能保持在98%以上。(现在通过500小时)。4.结合高LEE芯片+硅油/半球透镜EQE>11.4%,LEE>23.75%(寿命通过200小时功率保持@98%)。
郭浩中教授文章配图
 
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