期间，山西中科潞安紫外光电科技有限公司与中微半导体设备（上海）股份有限公司协办的“固态紫外器件技术”分会如期召开。分会重点关注以氮化铝镓、氮化镓为代表的紫外发光材料，以碳化硅、氮化镓为代表的紫外探测材料，高效量子结构设计及外延，以及发光二极管、激光器、光电探测器等核心器件的关键制备技术。
深紫外(DUV)和极深紫外(EUV)探测器在光刻、天文监测以及国防预警等诸多领域具有非常广阔的应用前景。在适用于DUV和EUV探测的所有宽禁带半导体材料中，碳化硅(SiC) 因其可见光盲、漏电流低和抗辐射性能好等优良特性能而受到了广泛的关注。此外，由于EUV光在半导体材料中的穿透深度非常浅，因此具有表面结的SiC肖特基势垒光电二极管在该波段相较于其他结构的器件具有更高的量子效率(QE)。
会上，南京大学的王致远做了《用于DUV和EUV探测的高性能SiC肖特基势垒光电二极管》的报告，他在报告中介绍了他们课题组研制出来的一种特殊的SiC SBD，并用其设计并制作了高性能DUV&EUV探测器，明确了SiC材料在深紫外探测领域的技术和前景。
他认为SiC肖特基势垒光电二极管在DUV和EUV探测方面具有明显的优势和发展潜力。表现在：1）全电极装置具有极低泄漏、抗辐射能力强、稳定性好的优良性能；2）与全电极装置相比，栅电极装置在EUV波长范围内，特别是在100nm以上的波长范围内，具有优越的检测能力。3）最重要的是，该栅电极装置可以在0V偏压下工作，具有更广泛的应用前景。
当然该技术仍然在研发阶段，目前需要解决问题仍然较多，目前主要解决的包括几点：1）进一步优化制备工艺条件，研制大型探测器部件和探测阵列；2）进一步提高装置的抗辐射性和温度稳定性。
