项目总投资10.5亿元，计划年产8万片4吋至6吋碳化硅衬底及外延片、碳化硅基氮化镓外延片，产品可广泛应用于5G通讯、新能源汽车、轨道交通、智能电网等领域。
据悉，该项目是全省首个第三代半导体材料项目。第三代半导体材料是以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，已成为半导体技术研究前沿和竞争焦点。
“设计、研发、制造、封装、测试……半导体产业链条上的任一环节的技术门槛都很高。华大宽禁带半导体材料项目专注半导体制造过程的前端工序——半导体材料，而且还是属于时下发展大热门的第三代半导体材料。”杭州湾新区管委会有关负责人表示，新时期集成电路产业发展背景下，该项目的签约对新区抢占下一代信息技术制高点具有较大发展意义。
