近年来，国家出台了一系列政策措施支持和推动半导体产业发展，取得了较为突出的成效，已基本完成了产业链的布局，且在功率半导体领域呈现多点开花的良好形势。
但提案注意到，当前从全球功率半导体市场看，一方面传统的硅材料功率半导体仍然有巨大的发展空间，有研 究显示全球市场的碳化硅及氮化镓等新材料功率半导体芯片市场应用量是约3亿多美金，硅材料功率半导体芯片市场应用量超过200亿美金。
国际市场的 IGBT 芯片主流是硅材料5代、6代及7代产品，国际功率半导体行业认为，硅材料功率半导体材料已经有30多年的大规模市场应用验证，稳定可靠，价格低，尚有技术发展空间等特点，在未来至少7至8年左右仍是市场应用主流。
另一方面以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料正蓬勃发展，而我国碳化硅、氮化镓功率半导体器件研发起步晚，在技术上仍有很大差距。可喜的是，在国家多项科研计划的扶持下，这方面已经大幅缩小了与国际的技术差距，并取得了不少成就。
根据提案，随着工业、汽车、无线通讯和消费电子等领域新应用的不断涌现以及节能减排需求日益迫切，我国功率半导体有庞大的市场需求，容易催生新产业新技术，在国家政策利好下，功率半导体将成为“中国芯”的最好突破口。为此，建议：
一、进一步完善功率半导体产业发展政策，大力扶持硅材料功率半导体芯片技术攻关，立项支持硅材料功率半导体材料、芯片、器件等设计和制造工艺流程技术。经过多年布局和发展，我国在硅材料 IGBT芯片技术方面有一定的技术基础和沉淀，可以将集中突破硅材料6代功率芯片产品设计及批量制造工艺技 术作为发展重点，采取先易后难、解决“有无”问题的发展策略，尽快实现功率半导体芯片自主供给。
二、加大新材料科技攻关。大数据传输、云计算、AI 技术、物联网，包括下一步的能源传输，对网络传输速度及容量提出了越来越高的要求，大功率芯片的市场需求非常大。从产业发展趋势看，碳化硅、氮化镓等新材料应用于功率半导体优势明显，是下一代功率半导体的核心技术方向。
目前碳化硅、氮化镓市场处于起步阶段，国内厂商与海外传统巨头之间差距较小，国内企业有望在本土市场应用中实现弯道超车。
一是要把功率半导体新材料研发列入国家计划，全面部署，竭力抢占战略制高点。
二是引导企业积极满足未来的应用需求，进行前瞻性布局。推动功率半导体龙头企业着力攻克一批产业发展关键技术、应用技术难题，在国际竞争中抢占先机。
三是要避免对新概念的过热炒作。新材料从发现潜力到产业化，需要建立起高效的产学研体系，打造更加开放包容的投资环境。
三、谨慎支持收购国外功率半导体企业。通过收购很难实现完全学会和掌握国际先进的功率半导体芯 片设计及制造工艺技术，同时海外工厂制造的产品仍然存在着无法出口到中国的危险。
