通常情况下，白色LED由蓝色LED与黄色荧光粉结合制成，而由荧光粉转换而来的白色LED往往会出现能量损耗及热稳定性下降等问题，但无荧光粉的LED难以实现。不过，UCSB团队提出了一个较为容易的制造方法，可直接在氮化镓衬底上生长出高效的白色半极化LED。
据悉，研究团队在块状氮化镓衬底上采用蓝色量子阱（顶部）和黄色量子阱（底部）生长出无荧光粉的白色InGaN（铟镓氮）LED，这些LED发射波长峰值为427mn的蓝光及560nm的黄光，输出功能为0.9mW。
图片来源: (Li et al., 2020)
研究者认为，无荧光粉的高效LED作为背光源的前景可期，有望实现用于可见光通讯LiFi中的Micro LED。
据了解，业内关于无荧光粉LED照明的研究一直都在开展中。
2016年，韩国KAIST也提出了一个制造方法：以半导体芯片取代荧光粉。顶部为同心圆模样的金字塔结构，设计成复合结构体。制造出的3D结构体各个面以不同条件形成量子阱，各发出不同的颜色。KAIST表示，通过调整制造3D结构体的时间和条件，以改变各结晶面面积的方法，从而制造出多元混色的LED。
