根据公告披露的信息，三安光电决定在长沙高新技术产业开发区管理委员会园区成立子公司投资建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，投资总额160亿元。
最新进度显示，6月15日，三安光电已与长沙高新技术产业开发区管理委员会签署《项目投资建设合同》。根据计划，三安光电将在用地各项手续和相关条件齐备后24个月内完成一期项目建设并实现投产，48个月内完成二期项目建设和固定资产投资并实现投产，72个月内实现达产。
对于具体开发建设的产品，三安光电方面表示，主要研发、生产及销售6寸SIC导电衬底、4寸半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiCMOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET等。
对于此次投资，三安光电方面认为：“第三代半导体产业园项目有着广阔的市场需求，现处于发展阶段。本次投资项目符合国家产业政策规划，符合公司产业发展方向和发展战略，有利于提升公司行业地位及核心竞争力。”
事实上，近年来三安光电在半导体领域的“大手笔”投资一直备受业界关注。
2017年12月，总投资高达333亿元的三安高端半导体系列项目在泉州市“泉州芯谷”南安园区启动，该工程涵盖高端氮化镓LED衬底、外延、芯片的研发与制造产业化等七大项目。计划五年内实现投产、七年内达产，经营期限不少于25年，将实现年销售收入270亿元、税收30亿元。经济观察网记者获得的最新消息显示，目前，泉州三安项目购买的设备陆续到厂，已有部分设备安装完成，进入调试阶段，待调试完成后将逐步释放产能。
与在半导体领域投资的高飞猛进相对应，是近年来三安光电在经营业绩上的承压。受累于LED芯片市场价格战，特别是去年前三季度产品价格的大幅下滑，2019年，尽管三安光电在LED芯片领域销售数量相比2018年同期保持增长，但业绩却出现大幅下滑。财务数据显示，2019年三安光电实现营业收入74.60亿元，同比下降10.81%；归属于母公司股东的净利润为12.98 亿元，同比下降54.12%。
