中国科学院院士、南京大学郑有炓教授，中国科学院院士、南昌大学副校长江风益教授，厦门大学校长张荣教授，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所杨辉研究员，中国科学院半导体研究所李晋闽研究员，北京大学沈波教授，中微半导体公司副总裁郭世平，西安电子科技大学微电子学院教授张进成，中国科学技术大学微电子学院执行院长龙世兵教授，中科院长春光机所黎大兵研究员，山东大学徐现刚教授，中山大学刘扬教授，南京大学教授陆海、南京大学电子科学与工程学院副院长刘斌教授，中国科学院半导体研究所王军喜研究员等嘉宾出席了闭幕式。厦门大学康俊勇教授与厦门大学校长张荣教授共同主持闭幕式。
闭幕式的大会主题报告环节，北京大学沈波教授带来了“Si上GaN大失配异质外延中的缺陷工程”的主题报告，分享了Si上GaN的国内外发展现状及最新技术研究进展与成果。比如在以Si上GaN为代表的大失配异质外延技术中，“缺陷工程”即以缺陷制取缺陷的技术路线，具有很大潜力。发现了AI原子对GaN中位错弯曲和应变弛豫有显著抑制作用等。
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所杨辉做了“基于MOCVD生长的锑化物超晶格红外探测器”的主题报告，从MOCVD生长锑化物超晶格探测器器件设计、材料生长、器件性能，以及现状与挑战等多角度，分享了最新的研究成果。
山东大学徐现刚教授分享了III-V族化合物半导体光电子材料与器件进展，包括GaAs基半导体激光器的关键技术与最新研究进展。其中基于GaAs衬底的6xx（635-690）、8xx(780-880)、9xx(905-1060)nm系列的半导体激光器芯片在市场需求牵引下向高功率发展迅速，已经突破影响激光器的寿命和可靠性问题，实现了从材料、芯片、模组全链条实用化。
随后的主题对话环节，北京大学沈波教授主持下，西安电子科技大学微电子学院教授张进成、中科院长春光机所黎大兵研究员黎大兵、南京大学教授陆海、中微半导体公司副总裁郭世平、中国科学院半导体研究所研究员闫建昌、复旦大学副研究员田朋飞等学界、业界中青代骨干力量齐聚，围绕着“面向短波长、长波长、微型化光电子器件，MOCVD设备与外延生长技术发展趋势”与“宽禁带半导体SiC、GaN基功率电子器件如何提升性价比？超宽禁带半导体器件如何推进实用化？”两大主题，台上台下展开探讨，从不同的角度分享不同见解，观点碰撞，气氛热烈，高潮迭起。
南京大学电子科学与工程学院副院长刘斌教授代表组委会介绍了本届会议筹办情况，本次会议得到了业界、学界广泛的支持与积极参与，本届会议为期两天，包含开闭幕式两场大会，四个主题分会。邀请报告38个，口头报告62个，海报展示126个。根据注册统计数据显示参会代表超过500人，线上开闭幕式报告直播观看人次超过5000+。
此外，闭幕式期间，中国科学院院士、南京大学郑有炓教授与中国科学院院士、南昌大学副校长江风益教授共同为本次会议优秀海报奖获得者颁发奖励。
获奖者名单如图
2022年第十七届全国MOCVD学术会议由中国有色金属学会、国家半导体照明工程研发及产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟主办，中国科学院半导体研究所、半导体照明联合创新国家重点实验室、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办，将于山西召开。
中国科学院半导体研究所王军喜研究员介绍了会议筹备情况，并向业界、学界的专家学者、青年学子们发出积极邀请。
【特别说明】
此次大会同时开通了开闭幕式精彩主题报告现场直播，更有图片直播实时呈现，与业界共享精彩内容，更多详细丰富内容可点击以下链接观看：
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