【IFWS2020】功率电子器件及封装技术前沿展望之碳化硅专场

2020年11月23-25日，第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）将在深圳会展中心举行。本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办。南方科技大学与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。

其中，功率电子器件及封装技术分会主题涵盖碳化硅/氮化镓电力电子器件的新结构与新工艺开发、碳化硅/氮化镓功率电子器件栅驱动设计、高效高速碳化硅/氮化镓功率模块设计与制造，碳化硅/氮化镓封装技术和碳化硅/氮化镓功率应用与可靠性等。分会将邀请国内外知名专家参加本次会议，呈现碳化硅/氮化镓功率电子器件及封装技术研究与应用的最新进展。
 

浙江大学教授盛况与电子科技大学教授张波共同担任分会中方主席，美国弗吉尼亚大学教授、天津大学教授陆国权与加拿大多伦多大学教授吴伟东共同担任分会外方主席。中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员柏松、西安电子科技大学教授张进成、大连芯冠科技有限公司总经理梁辉南、西安交通大学教授王来利、中山大学教授刘扬等精英专家们担任分会委员。
 

SiC和GaN作为第三代半导体材料的典型代表，也代表了功率电子器件的发展方向，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、新能源汽车、工业电机等领域具有巨大的发展潜力。
 

本届分会上的碳化硅专场，日本丰田汽车公司功率半导体顾问、PDPlus LLC总裁、ISPSD2021大会主席Kimimori HAMADA，中电科五十五所教授级高工、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室主任柏松，厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院前院长邱宇峰，浙江大学特聘副研究员任娜，深圳第三代半导体研究院研究员杨安丽，重庆大学电气工程学院副教授曾正，华北电力大学副教授李学宝，贺利氏电子中国区研发总监张靖等来自国内外高校、科研院所、企业的精英代表围绕着碳化硅功率器件及封装技术主题将带来精彩报告，多角度分享前沿研究成果。
 

紧扣国家“新基建”、“十四五”等前瞻利好政策，以“把握芯机遇·助力新基建”为主题，届时两场国际性盛会同台亮相，先进技术热点高度聚焦，政产学研用行业领袖齐聚，共商未来产业发展大计。
 

11月，深圳见！

会议议程如下：

 

 

 

 

http://www.sslchina.org/
 

长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
 

团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ?cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。

从1980年代起即致力于新型功率半导体技术研究，多次担任国际会议功率半导体分会主席，2010年成为国际功率半导体器件与功率集成电路学术会议（ISPSD）技术委员会（TPC）成员（全球功率半导体最高级别专业会议，张波教授是近年来首次进入该技术委员会的国内学者），2015年ISPSD大会副主席。目前带领电子科技大学功率集成技术实验室（PITEL）主攻功率半导体技术研究。
 

电子科技大学功率集成技术实验室（PITEL）是“电子薄膜与集成器件国家重点实验室”和“电子科技大学集成电路研究中心”的重要组成部分。被国际同行誉为“全球功率半导体技术领域最大的学术研究团队”和“功率半导体领域研究最为全面的学术团队”。实验室瞄准国际一流，致力于功率半导体科学和技术研究，研究内容涵盖分立器件（从高性能功率二极管MCR、双极型功率晶体管、功率MOSFET、IGBT、MCT到RF LDMOS，从硅基到SiC和GaN）、可集成功率半导体器件（含硅基、SOI基和GaN基）和功率集成电路（含高低压工艺集成、高压功率集成电路、电源管理集成电路、数字辅助功率集成及面向系统芯片的低功耗集成电路等）。
 

近年来,实验室共发表SCI收录论文300余篇。在电子器件领域顶级刊物《IEEE Electron Device Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》上共发表论文60余篇。继2012年在EDL上发表7篇论文，论文数位列全球前列以后，2015年在TED上发表8篇文章，论文数再次列全球前三（在固态功率与高压器件领域居全球第一）。
 

实验室在功率半导体技术领域已申请中国发明专利800余项，与企业合作承担了国家高技术产业发展计划、四川省产业发展关键重大技术项目、江苏省产业化转化项目、广东省教育部产学研结合项目、粤港关键领域重点突破项目等产业化项目；面向市场研发出100余种产品；为企业开发出60V-600V功率MOS、600V-900V超结（SJ）MOS、IGBT、120V-700V BCD、高压SOI等生产平台，部分产品打破国外垄断、实现批量生产，已销售数亿只。

1992年进入美国弗吉尼亚理工大学工作，曾获美国国家自然科学基金Career奖，2003年成为弗吉尼亚理工大学终身教授，美国弗吉尼亚理工大学电力电子系统研究中心CPES骨干科学家。他已成功在功率半导体器件和模块中实现倒装焊、球栅阵列和旋涡阵列连接，双面冷却封装，平面化封装等专利技术。他是纳米银焊膏的专利发明人，曾获得美国R&D 100大奖。迄今他已先后在电子封装期刊及会议发表学术论文逾220篇，其中100余篇被SCI收录。授权美国发明专利4项，公开发明专利1项，授权中国发明专利6项，公开中国发明专利13项。

于1985年加入丰田汽车公司，1987年作为最初成员之一参与了TMC的内部半导体项目。 负责功率MOSFET，BiCDMOS，IGBT和SiC MOSFET的器件开发。为丰田Prius混合动力汽车开发了所有IGBT器件。目前担任功率半导体顾问，并且是PDPlus LLC的总裁。他是日本电气工程师学会（IEEJ），日本汽车工程师学会（JSAE）和IEEE的成员。