中国科学院半导体研究所研究员、山西中科潞安紫外光电科技有限公司副总经理闫建昌博士将出席论坛，并将在11月25日下午举办的“固态紫外器件技术”分会上，分享《氮化物深紫外LED研发方向：从二维材料到纳米结构》主题报告。
中国科学院半导体研究所研究员,、山西中科潞安紫外光电科技有限公司副总经理闫建昌博士
闫建昌博士是中国科学院青年创新促进会会员，北京市科技新星计划入选者。长期从事氮化物半导体材料和器件研究，尤其专注于氮化镓半导体紫外发光二极管（UVLED）领域十余年，负责国家863计划、自然科学基金、重点研发计划等多项国家级科研项目，取得了具有国际影响力的研究成果。与美国、日本、欧洲等多国的领域著名研究机构开展了学术交流合作，并与产业界建立了良好的互动合作关系。
主持承担国家863课题“深紫外LED外延生长及应用技术研究”，国际上首次在纳米图形蓝宝石衬底(NPSS)上MOCVD外延出高质量AlN材料，材料质量为国际最好水平之一，研制出首支基NPSS的深紫外LED。相关研究获得SemiconductorToday、CompoundSemiconductors等半导体界知名网站报导。主持自然科学基金项目“AlGaN基紫外激光二极管研究”，成功实现了国内首个UV-B和UV-C深紫外波段氮化物半导体量子结构的室温受激发射。发表学术论文五十余篇，申请国家发明专利三十多项。获中科院成果鉴定两项，2012年度北京市科学技术奖一等奖、2015年度国家科学技术进步奖二等奖，2018年度北京市科技新星计划入选者。
山西中科潞安紫外光电科技有限公司成立于2018年4月，由山西潞安矿业（集团）有限责任公司和北京中科优唯科技有限公司合作共建，注册资金4亿元。公司依托中国科学院在氮化物深紫外LED领域多年的雄厚技术积累，致力于建立一个以中国为生产基地、世界领先的紫外LED光源产品生产企业，提供具有世界领先水平的产品和系统解决方案。
公司拥有深紫外LED领域的多项自主知识产权和核心专利技术，范围涵盖了从设备制造、外延生长到芯片制造等产业链上多个环节，可提供全波段UV LED（UVA、UVB、UVC）系列产品。目前，公司正在建设首条年产3000万颗深紫外LED芯片生产线，预计2019年正式投产，二期将建设2亿颗产能的深紫外LED芯片生产线。
山西中科潞安紫外光电科技有限公司将本着创新、合作、共赢的经营理念，与合作伙伴共同推进深紫外LED产业的进步与发展。
分会上，闫建昌博士将与分会主席中科院半导体所研究员、半导体照明研发中心主任王军喜与厦门大学教授康俊勇，以及康奈尔大学教授Debdeep JENA，北京大学教授、北京大学东莞光电研究院院长王新强，厦门大学教授蔡端俊，厦门三安光电股份有限公司副总经理GaN事业部总经理张中英，中科院宁波材料所副研究员郭炜，湖北大学材料科学与工程学院教授黎明锴，河北半导体研究所高级工程师周幸叶等来自国内外高校、科研院所的精英专家们联袂带来精彩报告，分享前沿研究成果。
本届论坛紧扣国家十九届五中全会和“十四五”等前瞻利好政策，以“绿色健康芯机遇·协同创新芯动能”为主题，届时两场国际性盛会同台亮相，先进技术热点高度聚焦，政产学研用行业领袖齐聚，共商未来产业发展大计。
11月23-25日，深圳会展中心见！
分会具体议程如下：
（备注：日程仍有小幅度调整，请以会议当天为准。）
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定向邀请听会联系人：
Frank 贾
M: 18310277858（微信同号）
E: jiaxl@china-led.net
（请微信或邮箱发送：姓名+单位+职务+电话）
