25日上午，功率电子器件及封装技术分会氮化镓专场如期召开。本届分会由广东芯聚能半导体有限公司，中电化合物半导体有限公司，英诺赛科(珠海)科技有限公司共同协办。
碳化硅、氮化镓是重要的第三代半导体材料。在大功率高频器件中具有重要的应用，其材料水平直接决定了器件的性能。分会期间，美国康奈尔大学电气和计算机工程教授Huili Grace XING，南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员孙钱，北京大学副教授王茂俊，中国空间技术研究院北京卫星制造厂郑研，电子科技大学教授周琦，英诺赛科（珠海）科技有限公司工艺制程开发总监谢文元，中山大学黎城朗等来自国内外科研院所、企业的精英代表带来精彩报告，分享前沿研究成果。电子科技大学教授张波和中山大学电力电子及控制技术研究所所长,教授刘扬共同主持了本场分会。
美国康奈尔大学电气和计算机工程教授Huili Grace XING带来了视频报告，分享了氮化镓功率电子与相关基本性能限制。
南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇分享了Si基GaN功率器件及其电源系统的关键技术研究进展，介绍了宽禁带半导体器件研究进展，包括GaN-HEMT优化、使用GaN-HEMT的电源适配器、GaN传感器、谐振器和滤波器、Beta-Ga2O3 MOSFET等，并表示，南方科技大学已成立第三代半导体研究所和5G中高频器件制造中心，以推动WBS的研发。重点研究GaN功率器件、GaN射频器件、GaN传感器和滤波器。
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所周宇带来了硅基GaN增强型HEMT电力电子器件的研究成果。分享了硅基GaN HEMT材料研究基础，p-GaN栅增强型HEMT的关键技术。
北京大学尹瑞苑做了题为”氮化镓MIS结构界面相关陷阱态：物性、表征及模型“的主题报告，报告指出，界面性质是影响MIS结构的重要因素，可以通过AFM、XPS、TEM、EDX等手段进行检测。边界陷阱可以通过低频噪声、交流gm、准静态电容、阈值电压漂移测量来评估。同时考虑沟道电阻和边界陷阱效应的分布式网络模型很好地描述了大沟道电阻MIS二极管的阻抗频散特性。
中国空间技术研究院北京卫星制造厂郑岩带来了”宽禁带功率器件的宇航应用技术“的主题报告，报告显示，宽禁带半导体材料及器件在宇航领域应用前景广阔，可支撑新一代航天器大功率电源系统；GaN功率器件主要应用于分布式电源系统，形成新一代高效轻量化电源；SiC材料及器件主要应用于大功率高电压电源系统、耐高温传感器等，形成高效、高可靠驱动模块、高压模块和混合能源系统功率模块等产品；国外已经推出部分宇航级功率器件产品，但仍然处于探索阶段，宽禁带功率器件在耐空间环境、适应高频高功率密度的高可靠封装、驱动及控制、应用验证及评价等方面仍然存在较大的差距，需要持续开展深入的研究工作。
电子科技大学教授周琦分享了基于超薄势垒AlGaN/GaN异质结与混合阳极二极管技术的微波混频器与功率整流器的最新进展。报告指出，实际应用推动了GaN功率器件技术的发展。GaN二极管在分立器件和功率集成中都有重要作用。
英诺赛科（珠海）科技有限公司工艺制程开发总监谢文元分享了八英寸硅基氮化镓产业化进展。硅基氮化镓技术进步飞速，未来面对智慧城市及家居，新基建，现代工业，新能源汽车，再生能源等诸多应用领域，可能会迎来万亿级的新市场。硅基氮化镓在快充领域已有应用，低压氮化镓在人工智能，Lidar等领域有应用机遇。
中山大学黎城朗分享凹槽深度对GaN槽栅型纵向导通晶体管电学特性的影响研究的最新进展。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
