25日上午，由华灿光电股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司共同协办的“Mini/Micro-LED新型显示技术”分会如期举行。分会期间，美国哥伦比亚大学电气工程系主任、教授Ioannis (John) KYMISSIS，南方科技大学电子与电气工程系讲席教授孙小卫，南京大学电子科学与工程学院副院长、教授刘斌，北京大学教授陈志忠，华灿光电股份有限公司张奕，佛山市国星光电股份有限公司主任工程师章金惠，厦门大学电子科学与技术学院副教授吴挺竹等来自国内外高校、科研院所、企业的精英代表将带来精彩报告，分享前沿研究成果。福州大学教授严群主持了本届分会。
美国哥伦比亚大学电气工程系主任、教授Ioannis (John) KYMISSIS带来了题为”用于生物医学光学的MicroLED和OLED器件”的视频报告，报告指出，硅电子是很好并提供宝贵的功能系统。薄膜电子使我们能够添加几乎任意的功能，这要归功于低热量预算和对模板的轻松需求等。光电集成在生物电子系统中尤其有价值。通过混合集成方法，我们可以混合和匹配我们需要的功能（特别是阵列控制、开关、传感和放大）来构建未来的系统。
南方科技大学电子与电气工程系讲席教授孙小卫分享了量子点显示技术的主题报告，QD是一种节能、高质量的显示技术。ZnO/ZnMgO的RSE可能导致QLED的正老化，这为QLED的研究提供了一个新的视角。IJP适用于QLED。
南京大学电子科学与工程学院副院长、教授刘斌做了题为“具有GaN隧道结的高效率绿光微型LEDs的PA-MBE制备”主题报告，厦门大学电子科学与技术学院副教授吴挺竹带来了”半极性Micro-LED 在显示与通信方面的应用“的主题报告，分享了最新成果。
北京北方华创微电子装备有限公司工艺技术经理张轶铭分享了“基于Mini/ Micro LED新兴应用的装备进展”主题报告。
北京大学教授陈志忠做了题为“Micro-LED大注入条件下的多体效应研究”的主题报告，报告显示，在GaN衬底上制备了直径为20μm的GaN/InGaN微LED。从50 kA/cm2到360 kA/cm2测量了EL光谱。利用多体理论，用APSYS模拟分析了EL光谱的宽度、峰值波长和强度。电致发光谱的展宽是由于CS效应，而CE则是导致光谱左侧收缩的原因。BGR和结温会引起红移，而红移克服了由于波段填充、极化场屏蔽和CS效应引起的蓝移。CE效应在140 kA/cm2之前下降，然后增加到360kA/cm2。增强的库仑相互作用导致d（logL）/d（logI）和EQE的异常现象。
随着LED显示屏于娱乐、零售，远程会议，教育、医疗、安防等市场需求增加，小间距、超小间距显示屏景气度持续向好。华灿光电股份有限公司张奕博士分享了新一代显示用Mini/Micro LED芯片技术研究与展望。其中，报告指出，Mini LED RGB显示技术作为小间距显示屏的自然延伸，无论是下游应用还是工艺技术均可无缝衔接，有望为LED显示屏注入新的源头活水。P1.1以下的显示屏应用，Mini LED 为主流芯片方案。Micro LED显示将应用于电视、手机、AR/VR，车载显示、可穿戴电子、数字显示（商业广告与显示等），预估2024年在TV以及IT显示器应用上，Micro LED片量将有快速增长。2024年在TV应用上， Micro LED 芯片产值将达到21亿美元。背光应用是Mini LED产业化的另一重要推手。随着良率的提高Mini LED背光显示的成本将以每年15-20%的幅度下降，将大比例替代现有的 LED 背光，成为大尺寸液晶背光显示方案的主流选择；预估2025年MiniLED背光芯片市场规模将达到14.3亿美元，其中用于数字显示的芯片产值将达到6.14亿美元，其次为IT产品及TV显示，产值均超过3亿美金。Micro LED的外延技术关键涉及波长均匀性一致性、缺陷和Particle的控制、外延面积的有效利用等方面。
佛山市国星光电股份有限公司主任工程师章金惠分享了从Mini到Micro LED技术演变的问题、思考及进展。报告指出，2018年开始LED显示屏到P1.0~P0.4 Mini LED显示时代。P1.0~P0.4 Mini LED显示的封装技术包含SMD、IMD和COB。Micro LED技术面临结构设计、工艺开发、可靠性、系统集成等四大挑战。Micro LED显示封装产业化则面临着新材料、新设备、新结构以及良率成本等问题。
厦门大学电子科学与技术学院副教授吴挺竹分享了“半极性Micro-LED 在显示与通信方面的应用”主题报告。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
