本届论坛由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）与第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。论坛得到了国家科学技术部高新技术司、国家科学技术部国际合作司、国家工业和信息化部原材料工业司、国家节能中心、国家新材料产业发展专家咨询委员会、深圳市科技创新委员会的大力支持。并得到了深圳市龙华区科技创新局的特别支持。
开幕大会上，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、国家半导体照明工程研发及产业联盟理事长吴玲做了“迎挑战 抓机遇 开新局”的综述报告。结合国内外大势，从半导体照明与第三代半导体产业整体发展角度，详细分享了产业面临的挑战、机遇与新局面。
我国在第三代半导体方面有一定的技术基础,有广大的应用市场，未来五年将是我国第三代半导体技术和产业飞速发展的重要窗口期。2020年是面向“十四五”部署科技重点任务的关键之年，关涉中国未来科技发展航向的“十四五”规划和2035年远景目标正在徐徐展开。
绿色低碳发展、万物智能互联成为全球共识。新一轮科技和产业变革将颠覆性影响人类未来发展改变生产、生活、思维方式，重塑生产关系和经济模式。
能源领域正在发生着大的变革。其中，采用第三代半导体替代传统器件，可节电万亿度。健康、智慧光源支撑颠覆式创新应用。超越照明跨界融合发展光生物、光健康、光医疗，紫外光源开创高效绿色固态紫光技术，显示光源开启高度集成半导体信息显示技术新变革，信息光源开拓高速宽带可见光通信技术。第三代半导体的自立自强，可以支撑“高质量”发展。支撑能源与环境所面临的严峻挑战，支撑以互联网为标志的新一代信息技术的可持续发展，支撑智能化为代表的制造业升级和高质量发展。
从产业现状来看，2020年第三代半导体产值7032 亿元（含LED），具备了全创新链的研发能力，初步形成了从材料、器件到应用的全产业链，整体竞争力不强，特别是核心材料和关键装备成为卡脖子瓶颈。
中国LED产业逐渐进入成熟期，已成为全球最大的半导体照明生产、消费、出口国，有产业链、供应链优势。上中游全球占有率显着提升，但利润下滑。下游应用通用照明市场强韧支撑。技术从跟跑到部分领跑。“十三五”期间，功率型白光LED光效处于国际领先水平，功率型硅基LED芯片产业化光效不断提升，565nm硅基黄光LED国际领跑。光电子领域应用驱动明显，培育壮大新动能需求迫切。
半导体照明应用角度，Mini/Micro-LED、紫外及深紫外LED创新应用、健康智慧照明、光生物与光医疗、设施农业光照都有很大的发展及未来市场成长空间。其中，到2025年中国紫外LED（器件及模组）市场规模可达57亿元，“十四五”期间年均复合增长率超40%。
高光品质、高显色性器件产品（显色指数90以上）2025年将增长到13.4亿美元，“十四五”期间，室内智能照明市场年均增速约20%，2025年室内智能照明市场超719.12亿元，在5G商用带动下，多功能灯杆增长势头强劲，十四五”市场空间约为466亿元。智能驾驶时代交通光信号承载人-车-环境的智能交互，从汽车照明到车用传感全面布局。
中国第三代半导体正迎来发展的窗口期。第三代半导体方面，功率及射频半导体解决有无，性能和制造能力亟待提升。双循环模式推动国产化替代。2020年中国SiC（碳化硅）、GaN（氮化镓）电力电子和微波射频产值预计将约为70亿元。
5G加速推进GaN射频应用迅猛增长，预计2025年5G基站500-550万个，直接拉动基站投资约2.5万亿。新能源汽车及消费电子成为突破口。资本加速进入，并购扩产频繁。区域布局初步形成。
其中，中国的GaN微波射频产业产值2020年将达到33.75亿元，比去年的26.15亿元将增长29%；SiC、GaN电力电子产业产值2020年将达到35.35亿元，比去年的29.03亿元将增长21.77%。
另一方面，市场规模扩大，5G加速推进GaN射频应用迅猛增长，2020年中国GaN射频器件市场规模约170亿元；新能源汽车及消费电子成为突破口，2020年中国电力电子器件应用市场规模58.2亿元。
未来，要做好顶层设计、统筹规划、长期稳定投入。夯实支撑产业链的公共研发与服务等基础平台，探索构建第三代半导体产业创新生态，加强精准的国际与区域的深度合作，共同努力全链条进入世界先进行列。
2030年形成发展优势，5G射频国产化率90%，6G通信用射频器件实现产业化；功率半导体在新能源汽车、高速列车、通用电源等领域国产化率70%；Micro-LED、深紫外LED国产化率80%；开发出万伏千安级碳化硅全系列产品, 支撑特高压装备技术国际引领；产业链核心环节形成1-3家世界级龙头企业；带动产值超过3万亿元，年节电万亿度。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
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