近日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）与第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）在深圳会展中心召开。
期间，由江苏南大光电材料股份有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、广州南砂晶圆半导体技术有限公司协办的“衬底、外延及生长装备”分会上，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所副研究员张璇带来关于二次注入和活化退火提高室温铝注入剂量的主题报告。
经过三十年的研发，碳化硅材料和电力电子器件正处于扩大生产和应用领域的关键时期。推动这项技术进步的因素很多，其中包括更好的物理理解、克服技术困难和降低制造成本，这些都是必不可少的。在众多挑战中，欧姆接触的高剂量p型注入和激活退火已经通过高温注入和1500-1700℃的高温退火来克服。然而，具有加热能力的注入机价格昂贵且有限，注入温度的降低幅度很大从生产力的角度看重要性。因此，尝试采用二次注入后再进行二次活化退火的技术来提高室温铝注入剂量。
报告结合具体的实验过程飞，分享了最新研究成果。报告显示，在总剂量为1.2×1015cm-2的情况下，双注入和室温退火比单次注入和退火大大减少了晶格损伤；双注入的总剂量可提高到1.5-2.0×1015cm-2，但热注入仍是达到高剂量的最有效方法。热注入和双注入应涉及不同的缺陷机制。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
