期间，由北京康美特科技股份有限公司，有研稀土新材料股份有限公司，宁波升谱光电股份有限公司，广东晶科电子股份有限公司共同协办的“半导体照明芯片、封装及模组技术”分会上，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所吴林枫分享了基于自隔离键合技术的大功率倒装芯片单片集成发光二极管的研究成果。LED发展呈现出增加发光面积、更高的驱动电流和更高的功率、更高的光输出功率的趋势。大功率倒装芯片整体集成LED，需要更高的驱动电流和更高的功率等，也面临着散热与电绝缘冲突。键合要求高的对准精度等挑战。
结合具体的数据，研究提出了一种新颖的倒装式led封装方法，称之为自对准隔离“技术”，该技术可以提高器件的散热能力，保证芯片的导电性，有效地优化封装的对准精度。
报告指出，当大功率倒装芯片MI-LED的输入功率为19.87W时，最高温度为45.6℃，最低温度为39.7℃，最大温差为5.9℃，说明自隔离粘接技术能够解决散热与隔热之间的矛盾。今后研究将对器件进行优化和封装，然后对器件的光学特性进行分析。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
