近日，由国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）与第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2020）暨2020国际第三代半导体论坛（IFWS 2020）在深圳会展中心召开。
期间，由北京康美特科技股份有限公司，有研稀土新材料股份有限公司，宁波升谱光电股份有限公司，广东晶科电子股份有限公司共同协办的“半导体照明芯片、封装及模组技术”分会上，中南大学特聘教授，微电子科学与工程系副主任汪炼成分享了同时具有较好照明显色性和调制带宽的单芯片无荧光粉白光LED的最新研究成果。
为了同时实现高质量照明和可见光通信（VLC），面向VLC照明的GaN基白光发光二极管（WLEDs）引起了人们的极大兴趣。然而，传统荧光粉转换WLEDs的总带宽受到荧光粉寿命长、stokes传输过程慢、电阻电容（RC）时延和量子限制斯塔克效应（QCSE）的限制。
研究采用MOCVD生长自组装InGaN量子点（QDs）结构，制备了相关色温（CCT，CCT=1600k～6000k）可调的宽带光谱无荧光单芯片白光LEDs，芯片面积为254um*584um，在72 A/cm2的低电流密度下，色温为6000k，显色指数（CRI）为75，同时获得150 MHz调制带宽。与传统的InGaN/GaN量子阱（QWs）结构相比，InGaN量子点的宽带谱白光和高调制带宽归因于不同InGaN量子点（QDs）局域态对载流子的捕获以及量子限制斯塔克效应（QCSE）的避免。该方法将在GaN-WLEDs中找到潜在的应用，并推动半导体照明通信集成的发展。本工作材料为扬州半导体照明公司李鸿渐博士和李盼盼提供，特别致谢。
研究采用MOCVD生长自组装InGaN量子点（QDs）结构，制备了相关色温（CCT，CCT=1600k～6000k）可调的宽带光谱无荧光单芯片白光LEDs，芯片面积为254um*584um，在72 A/cm2的低电流密度下，色温为6000k，显色指数（CRI）为75，同时获得150 MHz调制带宽。与传统的InGaN/GaN量子阱（QWs）结构相比，InGaN量子点的宽带谱白光和高调制带宽归因于不同InGaN量子点（QDs）局域态对载流子的捕获以及量子限制斯塔克效应（QCSE）的避免。该方法将在GaN-WLEDs中找到潜在的应用，并推动半导体照明通信集成的发展。本工作材料为扬州半导体照明公司李鸿渐博士和李盼盼提供，特别致谢。
半导体照明用LED器件发展相对成熟，但也还存在发光效率和色温、显色指数的兼顾等问题。而新型显示、可见光通信、生物医疗以及AR/VR等对GaN基LED元器件本身性能提出了更多的要求。先进GaN基LED元器件，不仅仅在于发光效率，其发光调制速度、发光光束、发光光谱、显色性以及柔性制造及可靠性，系统集成等方面还有很大研发空间。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
