期间，由华灿光电股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司共同协办的“Mini/Micro-LED及其他新型显示工程应用峰会”上，苏州晶湛半导体有限公司张丽旸博士分享了应用于Micro-LED的大尺寸GaN外延片的最新进展。
Micro-LED的主要挑战是成本，外延工艺要求涉及到晶圆尺寸、EPI厚度、均匀性、缺陷/颗粒、效率等方面。晶湛半导体专注于氮化镓材料外延，提供高质量晶圆片，用于光电领域。报告中分享了晶湛的技术进展。
报告指出，GaN-on-Si技术是充分利用性能和成本的最佳途径。GaN-on-Si（≥200mm）技术在微型LED显示领域有很大的发展前景。未来大规模生产需要设备制造商和epi晶圆供应商之间的合作。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
