专利一：一种LED发光装置及其制造方法
其中，发明名称为“一种LED发光装置及其制造方法”的发明专利，公开号为CN112382716A，申请日期为2020年10月28日。申请（专利权）人：厦门三安光电有限公司；发明人为：江宾、林素慧、曾炜竣、彭康伟、曾明俊、何安和、刘小亮。
来源：企查查
据了解，LED芯片因为其优良的性能得到快速发展。其中的紫外光LED特别是深紫外光LED的巨大的应用价值，尤其是在杀菌消毒方面的应用，引起了人们的高度关注，成为了新的研究热点。UV LED用于杀菌、消毒时，其使用环境大部分湿气较严重，这就对UVC LED的封装提出了更高的要求。
该项发明提供一种LED发光装置及其制造方法，该LED发光装置包括基板，所述基板具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面上设置有导电线路层；LED芯片，所述LED芯片通过所述导电线路层固定在所述基板的第一表面上；无机密封层，所述无机密封层覆盖所述LED芯片的表面、侧壁以及所述基板的第一表面。
上述无机密封层可以是SiO2和/或HfO2等一层或多层氧化物层。该无机密封层对UV或者UVC具有较高的透过率，并且即使长时间在UV或者UVC的照射下，也不会出现老化或龟裂等问题。本发明在LED芯片的表面、侧壁以及基板的第一表面上同时形成上述无机密封层，能够同时有效保护LED芯片及基板。
专利二：发光二极管器件及其制备方法
另一项发明名称为“发光二极管器件及其制备方法”的专利，公开号为CN112382711A，申请日期为2020年10月19日。申请（专利权）人：厦门三安光电有限公司；发明人为：张博扬、董浩。
来源：企查查
发光二极管器件由于其较高的发光效率在很多领域均有广泛的应用。为了提高发光二极管器件的出光效率，现有常见的发光二极管器件常在半导体外延层下方设置反射层，反射层的面积越大，其出光效率越高。但是，现有发光二极管器件一般均需对半导体外延层粗化处理，在粗化处理过程中，蚀刻液容易渗透至反射层，并刻蚀反射层，从而影响发光二极管器件的出光效率。
因此，如何在发光二极管器件具有较大反射层的情况下，避免反射层在后续形成粗糙部过程中被刻蚀，以提高发光二极管器件的出光效率，成为本领域亟需解决的问题。
此项申请公开了一种发光二极管器件及其制备方法，适用于发光二极管相关技术领域。该发光二极管器件管包括基板、台面结构、功能层和保护层；台面结构包括由第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层顺序排列所构成的半导体外延层；第二类型半导体层位于靠近基板的一侧，第一类型半导体层背对基板的表面配置有粗糙部；功能层，包括用于与半导体外延层连接的第一表面和用于与基板连接的第二表面；半导体外延层的面积小于功能层的面积；保护层配置为：至少覆盖第一表面除半导体外延层之外的区域。
本申请利用保护层遮挡住功能层除半导体外延层之外的区域，提高发光二极管器件中反射层的面积，进而提高发光二极管器件的出光效率。
备注：更多详情请查阅专利公开资料。
