《规划》中表示目标是到2025年，形成新片区集成电路综合性产业创新基地的基础框架。
其中，产业规模方面，集成电路产业规模将会突破1000亿元，芯片制造、装备材料主导地位进一步加强，芯片设计、封装测试形成规模化集聚。园区集成电路产业投资强度1500万元/亩，产出强度1500万元/亩。
技术创新方面，先进工艺、成熟工艺、特色工艺进入国际前列，EDA工具、光刻胶、大硅片等关键“卡脖子”技术产业化取得突破，2种以上关键装备进入全球领先制造企业采购体系。
企业培育方面，到2025年，引进培育5家以上国内外领先的芯片制造企业；形成5家年收入超过20亿元的设备材料企业；培育10家以上的上市企业，围绕5G、CPU、人工智能、物联网、无人驾驶等细分领域发展壮大一批独角兽设计企业。
人才集聚方面，汇聚超过2-5万名硕士以上学历的集成电路从业人员。
目前，新片区已引进华大、新昇、格科、闻泰、中微、寒武纪、地平线等40余家行业标杆企业，初步形成了覆盖芯片设计、特色工艺制造、新型存储、第三代半导体、封装测试以及装备、材料等环节的集成电路全产业链生态体系。
《规划》中提出，将积极对接引进国内最先进工艺线放大项目，推进磁存储器（MRAM）、3DNAND、半浮栅等新型存储项目落地。
提升新片区芯片制造产业能级，夯实产业基础。打造国内特色工艺生产高地，坚持市场需求与技术开发相结合，推动BCD、IGBT、CIS、MEMs等特色工艺研发与产业化，支持细分领域IDM项目建设。
推动化合物半导体产业实现由国内引领向国际领先跨越。推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设，面向5G、新能源汽车等应用场景，加快化合物半导体产品验证应用。
