其中涵盖了多项集成电路相关项目，以下是部分项目介绍。
第六代柔性有源矩阵有机发光显示器件 (AMOLED)生产线项目：总投资440亿元，总建筑面积63.5万平方米，建设工艺生产厂房、配套办公楼、配套倒班宿舍、动力厂房 、大宗气站等生产生活配套建筑物及构筑物，建设一条第6代柔性有源矩阵有机发光显示器件（AMOLED）生产线，项目建成后将形成年产屏体2800万片的生产能力（正在安装设备，产品已点亮）
12吋晶圆驱动芯片制造项目：总投资128.1亿元，总建筑面积20.1万平方米，建设生产厂房、综合楼、化学品库、仓库、废水处理站生产线，形成年产150纳米LCD驱动IC3.5万片、 90纳米小尺寸驱动IC0.5万片的生产能力（持续稳步提升产能，目前3万片产能）
TFT-LCD背光源及光学材料生产项目：总投资36亿元，总建筑面积16万平方米，建设车间、仓库及辅助设施，形成年产RTP偏光片2400万片、POL偏光片7200万片、导光板600万片、导光板热压4680万片、背光模组6000万片的生产能力（中试厂房正在办理前期报批手续）
集成电路产业链配套项目：总投资30.7亿元，项目主要从事集成电路封测以及模组组装业 务，达产后将形成月产能12万片的DRAM及 1600万颗4DNAND封测能力（基础施工）
晶圆凸块封装测试基地项目：总投资24亿元，总建筑面积3万平方米，月产3万片12吋晶圆 、5万片8吋晶圆。其中：一期月产1.2万片12吋晶圆及3万片8吋晶圆（基础施工）
第三代功率半导体(碳化硅) 产业园项目：总投资21亿元，总建筑面积8万平方米，主要建设厂房、辅助用房，购置晶体生长炉、原料合成炉测试设备、超净室、研发设备等先进设备（基础工程建设）
三利谱TFT偏光片生产：总投资20亿元，总建筑面积18万平方米，建设宽幅TFT型偏光片生产线6条，形成年产8000万平方米偏光片的生产能力（一期已竣工投产并完成验收，产能爬坡）
G8.5液晶基板玻璃生产线建设项目：总投资20亿元，总建筑面积8.8万平方米，共建设两条热端和一条后加工生产线。其中一期新建1条热端和1条冷端玻璃基板生产线；二期新建一条热端产线，形成年产120万片玻璃基板生产能力（第一阶段的1条G8.5热端和1条冷端生产线基本建设完成，第二阶段建设的第2条热端生产线，已于2020年11月启动）
第六代线用柔性AMOLED新技术开发和产业化项目：总投资15.98亿元，新增研发及生产设备28台套，研发窄边框、低功耗等技术，并产业化（陆续购置设备并安装、调试，全面屏、 低功耗等新技术持续研发中）
ITO靶材及其它薄膜材料研发及生产基地项目：总投资15亿元，总建筑面积8万平方米，建设厂房4栋，2F 办公综合楼1栋，门卫室1间，并配套建设消防、环保、道路、供配电、给排水等辅助设施，项目建成后将形成年产800吨ITO靶材 、750吨太阳能靶材和1478.4吨其它种类薄膜材料的生产能力（主体工程已结 束，正在进行设备购置及安装）
显示驱动芯片COF卷带生产项目：总投资12.7亿元，总建筑面积6万平方米，建设主楼、厂房、动力站、化学品库及仓库，建设3条中国大陆最大的半导体显示芯片封装COF卷带生产线，形成月加工70KK卷带的生产能力（一期已进行工程品研发生产及订单量产， 二期部分设备正在装机调试）
年产360万片再生晶圆项目：总投资3.2亿元，项目总建筑面积4万平方米，建设晶圆再生厂房、零部件清洗厂房，配套厂务系统车间、办公楼、仓库等辅助、公用工程，项目建成后将形成每年120万片晶圆再生的能力（主体工程结束，部分设备进场安装）
京东方MiniLED(合肥)生产线项目：总投资4.33亿元，租赁合肥鑫晟光电科技有限公司厂房电子厂房，新建一条MiniLED背光及显示产品生产线，包括新购回流焊、固晶机等生产设备、升级CIM等软件系统并对厂房原有部分动力、环保、管道系统进行改造。项目建成后年产约52.8万片MiniLED背光及显示产品（正在计划进行设备采购）
高精密半导体引线框架及AMOLED蒸镀用高精度金属掩模板(一期) 项目：总投资3.7亿元，总建筑面积3.2万平方米，计划建设办公楼 、科研、厂房、库房等相关配套设施；引进电镀生产线17条、蚀刻生产线10条；项目建成后可形成年产蚀刻型引线框架1亿条，冲压引线框架3000万条，高精度金属掩膜700万件（正在进行前期报建手续）
第6代触摸屏生产线MiniLED背光背板项目：总投资2.4亿元，利用合肥鑫晟光电科技有限公司厂房电子厂房，依托Sensor段现有产线，改建MiniLED 背光背板产品的智能化产线。包括新购干法 刻蚀、电化学沉积等生产设备，升级CIM等 软件系统并对厂房原有部分动力、环保、管道系统进行改造。项目建成后年产约18万片 MiniLED背光及显示产品（目前正在准备相关设备采购）
MEMS微系统集成工程建设项目：总投资10亿元，总建筑面积1万平方米，厂房改造，新增购 置200余台套，建设提升原有产线的产能， 形成年产5万片晶圆、4亿颗芯片的生产能力（开展前期工作）
安徽浚颍光电有限公司新型显示技术 OLED高精密金属掩模板研发制造及配套服务项目：总投资5亿元，购置安装OLED高精密金属掩模板生产线5条、配套清洗再生生产线15条；配套建设供 配电、安全生产、环保等设施（厂房基础施工）
年产2吨OLED材料项目：总投资1亿元，主要建设1000平方米无尘室，内设万级无尘室、千级无尘室、百级无尘室、生产场地、检测室、蒸镀室等，引进生产设备40台与检测设备23台，建成后可形成年产2吨OLED材料生产能力（厂房适应性改造）
集成电路及电子元件封装测试项目：总投资1亿元，总建筑面积2.4万平方米，设计年产集成电路及电子元件封装测试产品5亿只（基础开挖已完成）
半导体封测边框生产项目：总投资25亿元，建筑面积25万平方米，新建半导体封装生产线18条，购置关键设备2500台，建设半导体封测边框生产基地（办理能评手续）
顺芯第三代化合物半导体中段制程晶圆超薄化与封测产品生产研发基地项目：总投资20亿元，总建筑面积8万平方米，第一期实现年产84万片的晶圆薄化与金属化生产能力，第二期实现年产168万片的晶圆薄化与金属化生产能力以及100万片的芯片封装测试生产能力（已完成项目备案，正在进行规划选址）
深德彩科技华 东总部生产基地项目：总投资10亿元，建筑面积约5.2万平方米，购置关键设备500 台，新建封装DCOB的Mini、MicroLED生产线10条，年产LED显示屏3.6万平方米（加快办理用地手续）
AMOLED柔性显示触控模组与5G智能终端研发制造基地：总投资135亿元，总建筑面积41.7万平方米，利用现有的10万平方米厂房，同步新建触控显示模组（包括柔性AMOLED显示模组产品）以及传感器和5G天线等产品生产基地，形成月产45.5KK模组及其关键配套部件的生产能力（一期试生产； 二期基础施工中）
12英寸硅基OLED微显示模组项目及配套集成电路芯片制造项目：总投资100亿元，总建筑面积13.8万平方米，主要建设集成电路芯片及微显示屏生产厂房、模组厂房、综合楼、研发楼等，建设集成电路设计（ICD）、集成设计制造（IDM）、MircoOLED微显示屏及显示模组制造全产业链，建设三条配套齐全的12英寸（65nm集成电路）硅基OLED微显示器生产线（项目已签约）
安徽微芯SiC单晶衬底研发及产业化项目：总投资13.5亿元，建筑面积3.2万平米，新建厂房包括碳化硅晶体生长车间、碳化硅晶圆片加工车间等，购置主要研发设备、检测设备和其他辅助设备共576台（套），年产碳化硅晶圆片4英寸 (直径100mm)3万片、6英寸(直径150mm)12万片（公司注册、项目备案完成，规划选址通过）
年产50亿只集成电路及8亿颗功率器件及模组项目：总投资5.12亿元，一期租赁厂房1.6万平方米，购置生产线，二期建设标准化厂房4.5万平方米，年产50 亿只集成电路及8亿颗功率器件及模组（一期租赁厂房投产）
年产2000万件电子元器件配件项目：总投资1.05亿元，总建筑面积1.3万平方米，购置注塑机、超声波焊接机、自动裁线机、端子机等相关先进生产设备51台(套），形成年产2000万件电子元器件及配件的生产能力。
年产100亿只高可靠性集成电路芯片先进封装测试产业化项目：总投资5亿元，总建筑面积2.62万平方米，购置晶圆粘片机、金线键合机等设备，形成年产100亿只高可靠性集成电路芯片的生产能力。目前华宇封测产业园1#厂房已完成封顶，已进入第二次装修阶段。
高端功率半导体芯片研发制造项目：总投资2.23亿元，购买厂房，购置扩散炉、自动刻蚀机、自动涂布机等研发制造设备约600台套，建设两条全自动化生产线，年产360万片5英寸高端功率半导体芯片。
泓冠光电LED半导体元器件生产项目：总投资5.1亿元，建设厂房及办公楼建筑面积1.8万平方米，购置固晶设备、焊线机、压膜机等生产设备。
