近日，国星光电官方公众号显示，国星光电及华南理工大学联合建立的广东省半导体微显示企业重点实验室的最新研究成果“Toward 200 Lumens per Watt of Quantum-Dot White-Light-Emitting Diodes by Reducing Reabsorption Loss”发表在国际期刊《ACS Nano》。该成果刷新了同类器件最高发光效率行业纪录，有望加快该新技术的商业化进程，并巩固国星光电在Mini/Micro LED显示器件领域的技术优势地位。
图片来源：国星光电
量子点色转换技术是Mini/Micro LED、OLED以及LCD宽色域显示的共性关键技术，在超清显示、虚拟显示等新兴领域极具应用潜力。
目前，硒化镉、钙钛矿等量子点的光致发光效率已超过85%，高于传统稀土荧光粉材料，然而封装制成LED器件的发光效率普遍在50-130 lm/W（理论效率＞200 lm/W），上述矛盾已困扰学界与行业多年，低下的发光效率严重制约量子点LED显示技术的实际应用。
该成果提出直方通孔复合量子点色转换结构及其强化出光机制，利用湿法机械搅拌把量子点高效组装于粒径匹配的直方通孔结构，通孔结构被低折射率硅树脂填充，所形成折射率差异可抑制荧光光子在通孔内部硅树脂基材的传播，显著减少重吸收损耗。最终成功突破了量子点LED器件的发光效率瓶颈，获得超过200 lm/W的同类器件最高发光效率行业纪录（经CNAS认证第三方机构检测）。
据了解，由国星光电联合华南理工大学等高校研究所共同组建的广东省半导体微显示企业重点实验室，旨在重点攻克超高清半导体微显示领域的行业共性技术难题，实现相关技术的产业化与示范性应用。
