据外媒报道，Nitride Semiconductors成功将Micro UV LED芯片微缩化，可用于Micro LED显示器上，这项技术有望应用到下一代AR眼镜和智能眼镜中。
据悉，Nitride Semiconductors研究团队采用Micro UV LED来激发红色、蓝色、绿色荧光粉，并声称这种方法能够降低了显示器用Micro UV LED芯片的成本。目前，该公司正在开发大规模量产化的技术。
消息显示，传统Micro UV LED的芯片尺寸为16μm x 48μm，芯片之间在水平方向上的距离为10μm，垂直方向上的距离则为30μm。在一片4英寸晶圆上，大约可获得340万颗这样的芯片。
4英寸晶圆片上可生产1400万颗12μm x 24μm UV LED芯片
Nitride Semiconductors新开发的Micro UV LED芯片尺寸仅为12μm x 24μm，芯片之间在水平方向和垂直方向上的距离都是5μm，而同样在一片4英寸晶圆上，大约可获得1400万颗芯片，数量是传统Micro UV LED芯片的4倍。
成本方面，Nitride新型Micro UV LED芯片的成本是传统Micro UV LED芯片成本的1/4。
电气特性方面，Nitride已证实这款芯片拥有良好的电气性能，并在推动实际应用方面取得了巨大的进步。
Nitride表示，制造一个25平方毫米的显示器需要30万颗Micro LED芯片，而一片晶圆能够生产出11个Micro LED显示器。
Nitride将这款芯片比作面粉，该公司称，食用小麦面粉的颗粒大小为10-100μm，因此，新型Micro UV LED芯片尺寸接近细面粉的大小。
据LEDinside了解，2018年，Nitride Semiconductors投资1亿日元设立全资子公司Micro Nitride/μNitride。该子公司将专注于研发、制造和销售用于Micro LED显示器的Micro UV LED芯片。
同年，Nitride Semiconductors与日本V-Tech合作研发出了一种基于柔性UV Micro LED的彩色化方案，利用独特的“扇形”结构和荧光材料来实现显示器的彩色显示。
据悉，在UV LED领域，Nitride Semiconductors率先投入开发波长为385nm的芯片，拥有丰富的技术储备和经验。
V-Tech选择UV LED方案主要是因为红、绿光LED的发光效率会随着芯片尺寸的减小而减小。同时，V-Tech认为，理论上而言，使用短波长的光来激发荧光体会更合适，再考虑到外量子效率、荧光体的转换效率和发射波长的波动等因素，V-Tech最后选择了波长为385nm的紫外光。
如今，Nitride Semiconductors成功将芯片尺寸微缩化并降低成本，瞄准智能手表、抬头显示器、智能眼镜等可穿戴设备，并计划在2021年实现量产。
实际上，这意味着采用UV LED激发荧光粉的技术发展至今，已取得了更大的技术突破。未来，随着技术不断成熟，可望在显示器和高端照明应用领域扩大足迹。
