近日，由半导体产业网、中国半导体照明网主办的2021 Mini/Micro-LED显示技术商业化应用论坛成功召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟指导，与2021宁波国际照明展览会&第三代半导体技术应用创新展同期举办。
论坛期间，广东省科学院半导体研究所首席科学家、教授龚政博士带来了题为“高分辨率Micro-LED阵列及巨量转移技术研究”报告，详细分享了高密度Micro-LED显示系统及集成、Micro-LED巨量组装进展，以及GaN红光micro-LED芯片初步进展。
Micro-LED 显示技术具有很多优越性，具有低功耗、高亮度、超高分辨率与色彩饱和度、反应速度快、超省电、寿命较长、效率较高等，其功率消耗量约为LCD的10%、OLED的50%。 与OLED相比，亮度比其高30倍，且分辨率可达1500PPI，比Apple Watch采用OLED面板达到300PPI的5倍之多，具有较佳的材料稳定性。可以应用于高像素密度、小尺寸显示或者低像素密度、大尺寸显示场合。
在作为显示器件的产品应用方面，从目前技术发展阶段看，Micro LED 在超大尺寸显示器市场成本优势并不明显；该技术更容易实现高像素密度，兼具发光效率高、体积小、功耗低、寿命长等优点，与其它显示技术相比在智能手表（手环）、虚拟现实显示等可穿戴设备领域的竞争优势明显；Micro LED优越的性能还将有助于其在智能移动终端领域与 OLED 技术竞争。Micro LED具有比OLED更低的功耗，更高的亮度，全光谱显示方面更具优势。
报告介绍了无源寻址Micro-LED、无源Micro-LED显示系统、AM Micro-LED、高密度、高分辨率AM Micro-LED显示器的最新进展，以及高密度Micro-LED芯片关键工艺、高密度、高分辨率 AM Micro-LED器件光电特性表征
龚政表示，高密度Micro-LED难点一涉及到对微加工技术参数敏感，与背板键合集成困难。基于In球集成的Active matrix LED /CMOS 显示器，高密度阵列键合难点在于 对位困难，易短路、断路；In球高度差，导致bonding过程中受力不均；bonding良率65%（蓝色），90%（绿色） 正在改进。
Micro-LED组装技术方面，欧美布局较早，技术储备和专利布局有优势；台湾在micro-LED组装及装备方面进步明显，后来居上；而国内主要是处于追赶状态，对关键的巨量组装技术投入研发不足，原创性技术和成果不多
广东省内显示、光电龙头企业众多，包括TCL、华星光电、雷曼、国星、天马等。纷纷推出了miniLED高清电视样机，但成本高居不下（百万级别），无法进入消费市场；技术上大多采用传统SMT贴片、固晶焊等方法，这些方法组装的速度和精度基本接近物理极限；技术壁垒显著；
对于尺寸更小的Micro-LED技术更为缺乏。产业界急需攻关Micro-LED巨量组装技术，需要从组装方法和原理上革新，而不是传统贴片技术的简单升级。
龚政表示，广东省科学院半导体研究所有自己的转移方案，并自主搭建 Micro-LED 转移设备样机，巨量转印的蓝、绿、红阵列转移良率最可达99%。
报告同时分享了蓝宝石基 GaN 红光 microLED和硅基 GaN 红光 microLED的最新进展。
