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华灿光电张奕:新一代显示用Mini/Micro LED芯片技术研究与展望

放大字体  缩小字体 发布日期:2021-05-27 来源:中国半导体照明网浏览次数:958
近日,由半导体产业网、中国半导体照明网主办的2021 Mini/Micro-LED显示技术商业化应用论坛成功召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟指导,与2021宁波国际照明展览会&第三代半导体技术应用创新展同期举办。
 
论坛期间,华灿光电股份有限公司外延技术开发经理张奕博士分享了用于“显示的新一代LED芯片技术研究与展望”主题报告,详细分享了Mini/Micro LED应用与市场趋势以及芯片技术的研究与展望。
华灿
LED自发光技术发展到现在,焦点多集中于Mini&Micro,LED自发光显示微缩化的核心是Mini/Micro LED芯片。



 
 
Mini/Micro和其他显示技术相比在对比度、响应时间、分辨率、视角、色域、亮度、功耗效率等方面都有比较明显的优势。
 
Mini LED RGB显示技术作为小间距显示屏的自然延伸,无论是下游应用还是工艺技术均可无缝衔接,有望为LED显示屏注入新的源头活水。P1.1以下的显示屏应用,Mini LED 为主流芯片方案。
 
随着LED显示屏于娱乐、零售,远程会议,教育、医疗、安防等市场需求增加,小间距、超小间距显示屏景气度持续向好。有研究显示,全球LED小间距市场预估2019~2023年CAGR达27%,继续保 持高速增长,未来几年P1.1以下的产品将最具成长动能,预估 2019~2023 年的 CAGR 达58%,2023年市场规模预估将达到19.56亿美元。
 
张奕认为Micro LED是超高清显示的终极技术,Micro LED显示将应用于电视、手机、AR/VR,车载显示、可穿戴电子、数字显示(商业广告与显示等),预估2024年在TV以及IT显示器应用上,Micro LED 片量将有快速增长。2024年在TV应用上, Micro LED 芯片产值将达到21亿美元。
 
背光应用是Mini LED产业化的另一重要推手,Mini LED背光显示的优势包括精细的Local Dimming可以实现超高对比度(1000000:1);RGB三色背光方案可实现宽色域,色彩的鲜艳度媲美OLED;减少光学混光距离(OD),降低屏幕厚度实现超薄化,在轻薄的便携式消费电子中应用广阔;散热均匀,传统分立LED器件方案无法做到的,可以实现高亮度(>1000nit),HDR成为可能。
Mini LED背光基本原理
 
高品质显示要求精细的Local Dimming分区,更精细的分区要求多而小的发光源,高密Mini LED阵列是最优选择。
 
从市场角度来看,随着良率的提高Mini LED背光显示的成本将以每年15-20%的幅度下降,将大比例替代现有的 LED 背光,成为大尺寸液晶背光显示方案的主流选择;预估2025年MiniLED背光芯片市场规模将达到14.3亿美元,其中用于数字显示的芯片产值将达到6.14亿美元,其次为IT产品及TV显示,产值均超过3亿美金。
 
Mini LED为巨量转移技术的集成提供了可能,结合N合1或COB封装,提供了更高显示密度的解决方案,P1.0以下的显屏应用,Mini RGB芯片将逐渐占据主流。
华灿背光Mini LED技术
 
报告中,张奕介绍了当前华灿背光Mini LED关键技术的出光调节设计,其关键共性技术具有高可靠性、高亮度的倒装芯片结构,高效钝化层的制作,金属连接层的平滑覆盖,高可靠性的电极等特点。
 
华灿R/G/B Mini LED关键共性技术的Mura效应是COB封装形式中常见的显示异常;华灿通过特有的混编技术,可以消除COB应用情况下的Mura效应。
 
免锡膏封装芯片方案,可以随着芯片尺寸的持续减小,免锡膏方案将成为提高良率降低成本的关键;华灿可以将锡球直接制作在Mini LED 芯片电极上。
华灿Mini LED量产路线图
 
Micro LED的外延技术关键涉及波长均匀性一致性、缺陷和Particle的控制、外延面积的有效利用。芯片技术关键涉及Sub微米级的工艺线宽控制、芯片侧面漏电保护、衬底剥离技术
(批量芯片转移)、阵列键合技术(阵列转移键合)、Micro LED的光形与取光等。
 
华灿Micro LED的外延进展
 
报告中分享了华灿微米级工艺线宽控制、华灿Micro LED的巨量测试效果、华灿衬底激光剥离技术、红光Micro LED效率提升进展、华灿Micro LED缺陷控制水平。
华灿Micro LED技术节点路线图
LED微显示技术对比
Mini LED背光技术挑战
 
 
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