5月31日晚间，南大光电发布公告，控股子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶继2020年12月在一家存储芯片制造企业的50nm闪存平台上通过认证后，近日又在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破，表明公司光刻胶产品已具备55nm平台后段金属布线层的工艺要求。
受该利好消息影响，今天南大光电股价开盘大涨，截至收盘股价上涨11.17%，收于35.19元/股。
资料显示，随着芯片跨入纳米级，半导体光刻胶的波长也在不断缩短，已经由紫外宽谱逐步发展到g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、ArF Immersion 浸润式，以及最先进的EUV（<13.5nm）线水平。
从国内的光刻胶市场来看，低端的中g线/i线光刻胶自给率约为20%，KrF光刻胶自给率不足5%，而高端的ArF光刻胶完全依赖进口，是国内半导体的卡脖子技术之一。
虽然南大光电的ArF光刻胶现在通过的是55nm工艺认证，但ArF光刻胶涵盖的工艺技术很广，可用于90nm-14nm甚至7nm 技术节点制造工艺，广泛应用于芯片制造（如逻辑芯片、 存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云计算芯片等）。
