五大关键词看宽禁带半导体发展

 

随着大会规模和影响力的不断增强，今年，“全国宽禁带半导体学术会议”迎来了第四届，定于2021年10月12-15日在美丽的鹭岛厦门举办，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会共同主办，厦门大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟联合承办。

 

以氮化物半导体等为代表的宽禁带半导体材料具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，在新能源汽车、通信以及家用电器等领域发挥重要作用，有着巨大的应用前景。目前，市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等都是第三代半导体的重要应用领域。“一代材料、一代产业”，材料生长与提升关系着诸多产业的发展，本届大会将关注氮化物半导体、氧化物半导体、碳化硅、金刚石等材料的最新进展与成果。

 

材料的物理性能随材料成分、组织结构及外界使用环境变化而变化。不同的成分的材料，制备加工工艺不同，得到的组织结构不同，可具有不同的性能。了解这些规律有助于发掘材料的最佳性能。本届会议将关注材料物性和表征技术，涉及光、电、磁、热性质、缺陷物理等的最新研究。

 

第三代半导体材料可以实现更好的电子浓度和运动控制，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。其中LED作为第三代半导体材料的第一个成功应用突破口，已经形成了巨大的产业规模，还有LD、光电探测器等诸多应用方向，

 

光电子器件、射频电子器件是第三代半导体材料的重要应用方向，射频电子器件方面，5G通信基站、雷达等推动GaN射频市场需求不断增大。新能源汽车和充电桩市场是碳化硅功率器件市场增长的重要动力。随着新能源汽车的发展，对功率半导体器件的需求量将会日益增加。电子器件及其应用也将是本届会议的重要关注方向。

 

当前，宽禁带材料与器件的研究开发呈现出日新月异的发展势态，并不断有新的成果出现，本届大会将引入更多超宽禁带半导体、二维宽禁带半导体、有机宽禁带半导体等新型宽禁带材料与器件的最新进展

 

作为国内为数不多的全国宽禁带半导体学术会议，届时国家来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表等，将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研用的交流合作。深信这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到有力的推动作用。