宽禁带半导体已成为全球高技术竞争战略制高点之一，国际半导体及材料领域研究和发展的热点，基于宽禁带半导体材料，半导体照明已经形成巨大规模的产业，并在电子功率器件领域继续深入发展。为推动我国宽禁带半导体领域的发展，加强各界交流与协同创新，八年前，首届全国宽禁带半导体学术会议召开。今年，第四届全国宽禁带半导体学术会议由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会共同主办，厦门大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟联合承办。
据了解，本届大会以“芯动力·新征程--宽禁带半导体的机遇与挑战”为主题，由厦门大学校长张荣教授与第三代半导体产业技术创新战略联盟吴玲理事长共同担任大会主席。同时，邀请了强大的顾问委员会、程序委员会、组织委员会专家团。
大会强大的专家团队将与来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表们一道，围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研用的交流合作。深信这次会议必将对我国宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步、产业发展起到有力的推动作用。
大会程序委员会委员邱宇峰教授将出席会议并带来题为“18kV SiC IGBT研制”的大会报告。
邱宇峰是厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原副院长，曾任全球能源互联网研究院党组书记、副院长；输配电及节电技术国家工程研究中心主任；电力行业电能质量及柔性输电标准化技术委员会主任等职务。主要从事柔性输电、高压直流输电和电力系统继电保护等领域的研发工作，是中国大功率电力电子技术的主要开创者之一。
邱宇峰教授曾主持完成了国家973、863项目等多项研究，完成了中国第一台用于输电系统的静止无功补偿器、世界首台1000kV串联补偿装置、800kV特高压直流换流阀及世界首个200kV直流断路器等技术研发与工程应用，为特高压电网及智能电网在中国的建设和发展做出了积极贡献。获得国家科学技术进步奖1项、国家能源科技进步奖1项及16项省部级科学技术进步奖。
SiC IGBT代表着功率器件的较高水平，目前而言，SiC器件的制成还有着很多难点需要突破和解决。本届大会上，邱宇峰教授将与业界分享关于18kV SiC IGBT研制的最新研究成果，敬请期待！
目前大会征文及报名工作正有序进行中，论文摘要提交将于8月10日截止，报名缴费优惠将于9月10日截止。欢迎相关领域的专家、学者、行业企事业单位参会交流！更多详情见大会官网：http://www.wbsc.org.cn/
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