Porotech拥有独家多孔GaN半导体材料，并在此基础上，开发了天然红InGaN Micro LED外延片，有效改善了Micro LED亮度和效率等方面的性能，能够满足Micro LED产品的量产需求，也可根据个体用户需求定制化。本次合作，Porotech将向JBD供应多孔GaN半导体材料。
Porotech认为，采用GaN材料的Micro LED被广泛认为是唯一能够满足AR/VR等可穿戴设备高亮度及高效率需求的技术。而JBD认可了Porotech这一技术突破的巨大潜力，将依托这项技术开发InGaN红色Micro LED显示器，瞄准AR/VR耳机、AR智能运动护目镜及头戴式显示器等应用。
红光Micro LED技术难点加速攻克
众所周知，红光Micro LED芯片的效率问题是Micro LED生产制程的几大难点之一。例如，常规的AlGaInP红光Micro LED在正常芯片尺寸下的效率可达60%以上，但随着芯片尺寸缩小至微米级时，效率会显著下降至1%以下。
得益于宽带隙可调、较好机械稳定性和较短空穴扩散长度、兼容InGaN基绿光、蓝光Micro LED等优点，InGaN材料成为了红光Micro LED更好的选择。
据悉，江风益院士团队2020年公布了高光效InGaN基橙-红光LED的研究突破，该研究结果也证明了InGaN材料在制作显示应用的红光像素芯片上将有巨大的应用潜力。
无独有偶，美国加州大学圣塔芭芭拉分校UCSB也曾与首尔伟傲世针对尺寸小于5微米Micro LED外量子效率变化趋势展开研究，结果也表明，InGaN基红光Micro LED有望实现更小尺寸的全彩化Micro LED显示器。
Porotech的开发成果也成为了一个有力的佐证。去年11月，Porotech基于其新型多孔GaN半导体材料，开发了首款适用于Micro LED应用的天然红InGaN LED外延片，与常规的AlInGaP或颜色转换所得的红光外延片相比，性能得到提升。
除此之外，近一两年来，全球范围内越来越多研究机构及相关企业加大对InGaN红光Micro LED芯片的研发力度，也收获了一定的成果。
今年3月，UCSB宣布成功开发了尺寸小于10微米的InGaN基红光Micro LED芯片，不过，这款芯片通过晶圆上量测得出的外量子效率（EQE）仅为0.2%，为此，UCSB计划提升材料的质量，改善生产步骤，从而提高红光Micro LED芯片的外量子效率。
今年5月，沙特阿卜都拉国王科技大学（KAUST）团队在研究InGaN基红光Micro LED芯片方面也获得了突破性进展，其新型InGaN基红光Micro LED芯片的外量子效率有所提升，有望帮助实现基于单一半导体材料的全彩化Micro LED显示器。
可见，红光Micro LED芯片的性能问题，在多方力量的推动下逐渐被攻克，不过仍需更多的研究与突破，才能进一步提升效率。未来，基于Porotech的技术，JBD开发的InGaN红色Micro LED终端设备也将备受期待。
技术突破+战略合作，终端应用落地在望
在推动AR/VR等智能可穿戴设备用Micro LED的落地之路，Porotech与JBD均在各自领域开展全方位的布局。一方面是不断突破自身技术，另一方面是积极寻求不同领域的合作伙伴，实现合作共赢。
据了解，基于Porotech独有的工艺，采用相同的GaN材料就能够生产出R/G/B LED，并集成于单一晶圆上。今年6月，Porotech刚完成了新一轮融资，筹集300万欧元用于推动其下一阶段Micro LED生产技术的发展，即拓展其新型工艺，以集成InGaN RGB Micro LED，实现Micro LED的全彩化。
JBD是全球第一家Micro LED微显示芯片量产企业，并首创混合集成电路专利技术，该技术可针对每个单独像素的像素级光学元件（Pixel Optics?) 进行设计，能够大幅提升Micro LED的取光效率和光束形状。
JBD专注于0.5英寸及以下微显示器领域。2020年，JBD宣布量产0.13英寸Micro LED微显示器，产品对角线仅0.13英寸（3.3毫米），分辨率为640x480，具有超高亮度，红、绿、蓝亮度分别可达20万nits、400万nits、50万nits，同时，在正常运行条件下，其功耗仅为百毫瓦级别。今年6月，JBD已面向全球发布这款产品。
战略合作上，JBD先后与智能眼镜和AR技术开发商Vuzix、美国微显示技术开发商Kopin达成合作关系。其中，JBD与Vuzix签署了多年合作协议，并于今年初合作发布了全球首款Micro LED AR智能眼镜，包括超亮单色和全彩两种方案，主要定位企业市场。
本次，JBD与Porotech强强联合，有望加速Micro LED AR/VR等智能设备的商用化进程，未来双方也将更好地响应Micro LED显示市场的需求。
