LEDCON 2021前瞻：GaN助力LED电源轻薄化

标题：英诺赛科高级产品应用经理邹艳波将出席2021智能照明控制系统创新应用论坛

 

第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，优越的材料特性让氮化镓功率器件具有巨大的优势。与硅器件相比，氮化镓的高频特性提升了十倍以上，这将全面提高LED驱动电源系统工作频率，进而减小系统的体积，使LED驱动电源更小，更轻薄。而在狭小空间内，温升也是一个严重制约应用的因素，氮化镓具备更低的开关损耗和更低的单位面积导通阻抗，可以提升LED电源的转换效率，降低系统发热，同时达到节能减排的收益，助力碳达峰和碳中和。

 

2021年10月22日，中国半导体照明网、极智头条、半导体产业网在国家半导体照明工程研发及产业联盟指导下，在“NEPCON ASIA亚洲电子生产设备暨微电子工业展”同期，联合励展博览集团及业内知名机构组织筹办主题为“以光汇友 智控未来——2021智能照明控制系统创新应用论坛”活动。届时，英诺赛科高级产品应用经理邹艳波将出席论坛并带来题为《GaN助力LED驱动电源轻薄化》的主题报告。

邹艳波先生，有着丰富的氮化镓器件应用于高频高密电源开发经验，原任职于ICT领域知名企业，从事手机、AI智能云服务器和5G通信设备的供电解决方案的前沿技术的研究和开发。现任英诺赛科市场应用高级经理, 负责氮化镓器件产品定义和产品规划，构建公司氮化镓器件产品在5G通信，新能源汽车，智能手机，人工智能，大数据中心等战略新兴领域的竞争力。