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国星光电:前三季度净利1.78亿元同比增长129.59%,取得4项发明专利证书

放大字体  缩小字体 发布日期:2021-11-01 来源:LEDinside浏览次数:243
10月30日,国星光电连发公告,公布了2021年第三季度报告,同时宣布公司取得4项发明专利证书。
 
第三季度净利润同比增长491.45%
 
国星光电第三季度实现营业收入11.18亿元,同比增长39.89%;归属于上市公司股东净利润为8600.32万元,同比增长491.45%。
 
累计前三季度实现营业收入为28.48亿元,同比增长24.18%;归属于上市公司股东的净利润为1.78亿元,同比增长129.59%。
 
国星 1

国星光电表示,前三季度净利润同比增长129.59%,主要是公司产品订单量较去年同期取得明显增长,以及调整产品结构,增加高附加值产品影响所致。
 
报告期内,国星光电持续耕耘Mini/Micro LED、紫外LED、第三代半导体等业务,并取得重要进展。
 
MiniLED方面,国星光电已开发了覆盖P0.9-P0.4的全系列MiniLED直显产品,目前MiniLED直显产品实现满产满销;而MiniLED背光产品已储备Mini POB、Mini COB两大技术路线,并与多家终端厂商建立战略合作关系,目前产品批量出货,产能正在持续扩充。
 
Micro LED方面,国星光电开发出高一致性像素化量子点色转换彩膜制备技术,可将巨量转移次数减少三分之二,有效解决Micro LED红光芯片良率低、光效低、巨量转移难度高的技术痛点,进一步提高良率、减少修复、降低成本。
 
紫外LED方面,国星光电在接受机构调研时表示,国星半导体已形成365nm/395nm/410nm三个新系列芯片产品,可用于紫外固化,光触媒、健康照明以及全光谱等全新应用领域。同时国星半导体是国内为数不多可以量产垂直结构紫光LED芯片的企业。
 
第三代半导体方面,国星光电在调研活动中透露,近期推出3大系列第三代半导体新产品,包括SiC功率器件、功率模块和GaN-DFN器件。目前公司已完成三代半功率器件实验室及功率器件试产线的建立工作,计划2021年底实现小规模量产。
 
取得4项发明专利证书
 
国星光电宣布,公司于近日收到4项发明专利证书,其中包括中国国家知识产权局颁发的发明专利证书3项、美国发明专利证书1项。
 
国星 2

公告显示,第一项发明专利名称为“照明设备”,专利号为ZL201811368164.4;第二项发明专利名称为“LED器件、背光模组和显示装置”,专利号为ZL201910578865.9;第三项发明专利名称为“一种全彩化LED封装器件和显示模组”,专利号为ZL201910588622.3;第三项发明专利名称为“LED器件、背光模组和显示装置”,专利号为11016340。
 
国星光电表示,以上专利的取得有助于发挥公司自主知识产权优势,丰富公司先进技术储备,促进技术创新推动产品优化升级,提高公司的综合竞争能力,对公司的生产经营有积极影响。
 
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