第三代半导体产业为何持续升温呢？业界普遍认为，一方面是国家对第三代半导体均给予了高度重视，各地政府扶持力度大；另一方面第三代半导体材料具有高频、高效、高功率、耐高压等优越性能，在光电子、微波射频、电力电子、功率半导体等领域有很大的应用潜力。
未来五年，将成为第三代半导体技术和产业飞速发展的重要窗口期，市场竞争将进一步升级。
▲第三代半导体材料生产现场
第三代半导体产业发展浪潮涌动
半导体作为信息产业的基石，近两年一直是各国贸易战的焦点。尤其是进入2020年，发达国家纷纷将半导体技术和产业上升到国家安全战略层面。
据Yole数据显示，Cree Wolfspeed、ROHM等五家企业合计占有SiC功率半导体市场80%，EPC、Transphorm、等四家企业占有GaN功率半导体市场90%，住友电工、Cree|Wolfspeed和Qorvo三家企业占有GaN射频市场85%。由此可见，美日欧企业占据全球第三代半导体主导市场。
尽管与国际尚有差距，但在国家科技计划支持下，我国已初步形成从材料、器件到应用的全产业链，市场需求、政策支持等多种因素也在促成我国第三代半导体产业逆势上涨，产业链研发实力提升，与先进水平差距在不断缩小。
另据CASA Research研究报告，国内商业化GaN衬底尺寸以2英寸为主，4英寸实现小批量出货，预计2025年前完成6英寸衬底的批量生产并进入市场，代表企业有东莞中镓、苏州纳维等。
东莞中镓已建成国内首家专业的氮化镓衬底材料生产线，制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底，并能够稳定生产。目前，该公司承担国家、省级重大科研专项40余项，拥有自主专利170余项，是国内最大的氮化镓衬底材料生产基地。
蓝宝石上氮化镓衬底领域，诸如中图科技、博蓝特等不少企业表现突出。中图科技一直围绕着第三代半导体氮化镓材料技术进行图形化衬底的开发与产业化，多年来占据图形化蓝宝石衬底这一细分领域的领先位置。
GaN光电子器件方面，LED芯片国产化率已超过80%，显示应用领域，Micro-LED作为下一代显示技术的重要技术路线，国内外企业百家争鸣，各自为营，但也有年轻的企业采用“多条腿走路”的策略，迅速成长起来。
从技术研发到推出产品，中麒光电短短三年时间内打响名头，面对多条不同的技术路线，其以全倒装COB（UFP Mini COB系列产品）与单芯片封装（Mini COB Lite系列产品）两种技术路线为市场开拓的先锋，形成了自己的竞争实力，预计2023年底，其将实现两条技术路线融合，迈入Micro LED路线。
有数据显示，中麒光电在自产芯片且自主研发的巨量转移（转印）加持下，其转良率已经提升至99.99%,自主研发巨量转移技术效率>2KK/UPH，并在2020年实现产量高达2万多平米。
得益于国内主流企业积极布局，市场容量扩大且产业链合作水平不断提高。在技术方面和企业规模上，我国与国际大厂存在较大差距。
▲中麒光电车间
卡位布局，人才战略进行时
第三代半导体产业是高技术引领，随着市场开启，人才需求将呈爆发式增长，但目前并不能得到满足。
第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展中心主任王建华表示，当前产业面临着研发周期长，技术更新快，各层次人才规模不够，高端和战略性人才急缺等问题。
面对人才需求，很多企业采用高薪聘请、海外引进人才等方式来短时间弥补高端领军人才缺口，甚至开启院校人才“争夺战”。“人才是企业发展的动力源，建议企业积极探索多元化人才培养模式，打好人才选、用、育、留组合拳，不断挖掘人才潜能，持续增强企业竞争力。”王建华说。
不少实力企业，诸如比亚迪、基本半导体等都在探索自主创新、合作研发等。有强大发展潜力的新兴力量，比如中民研究院等也开始强势崛起，颇具人才吸引力。
据了解，“新秀”中民研究院已开始构建自身的技术创新体系，将围绕第三代半导体关键核心技术、主要应用链条、多维应用领域，形成半导体全产业链技术研发与孵化平台，触及5G、新能源、节能环保等前景广阔的领域。同时，也在不断完善人才相关配套孵化资源，采用高效的激励机制，给人才弹性空间，以最大限度发挥人才的能力与潜力，持续吸引优秀人才。
中国科学院院士、南京大学教授郑有炓指出，培养第三代半导体领域的创新人才的一个重点是要培养具有“解决问题、发现问题、提出问题”能力的优秀人才。
科技竞争，归根到底是人才的竞争，未来企业间的竞争也将会呈现技术、资本、人才等全方位实力的较量。
▲ 中晶半导体生产车间
未来，谁将会立于潮头浪尖？
政策和市场双轮驱动，我国第三代半导体产业规模保持高速增长。预计“十四五”规划期间，国家和地方政府将在教育、科研、人才、融资等各方面出台政策支持，产业将迎来蓬勃发展期。
企业也在加快布局的步伐，纷纷在技术储备、平台建设、投资扩产或产业合作等不同方面发力。比如华大半导体进行SiC全产业链布局，基本半导体建设深圳研发中心以及封装产业基地等等。
中民研究院常务副院长闫春辉博士认为，企业要长久发展，说到底要保持足够可持续不断壮大的创新能力，需要有稳定的平台，建立和保持竞争优势。对于中民研究院，随着第三代半导体市场的打开，已形成的平台、技术、市场等资源优势将不断释放。其布局也为后续的资源汇聚打下了基础，其研发实验室更加开放对外，积累原创性研发技术的同时也与国内外科研单位保持密切合作，引进新技术和人才。其注重引入外部可孵化资源，以强化技术竞争力和产业孵化能力，保证不断有新生力量加入，在项目、技术、知识产权资源等方面积累，以形成持续竞争力，汇聚更多优势资源。
类似中民研究院的模式，要形成产业链平台体系的综合运作，除了要有自身强大的资源和实力支撑，也需要强大的顶层设计能力和资源的运筹调配，更非一日之功。中民研究院等新兴力量的崛起也得益于其切入的时机、自身格局视野以及多年实力积累等多重要素的支持。企业的布局能有多宽，走得多远，与视野有关，也需要多种资源的汇聚、配合与协调以及持续的精心经营。
当前，全球资本加速进入第三代半导体领域，正处于产业爆发前的“抢跑”阶段，也给企业提供了比拼发展的巨大空间，竞争格局仍未成型，可以预见，越来越多的企业会加入竞争。而强者们的出现会让产业的发展更有力量也让人期待。（文/ May）
