福州大学孙捷教授：低维纳米材料在GaN LED芯片上的应用

近日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。

期间，“SSLCHINA 2021：半导体照明芯片、封装、模组及可靠性”分论坛由广东中民工业技术创新研究院有限公司、旭宇光电（深圳）股份有限公司、有研稀土新材料股份有限公司、江苏博睿光电有限公司联合协办支持。会上，福州大学孙捷教授现场分享了“低维纳米材料在GaN LED芯片上的应用”主题报告。

 

GaN上直接生长石墨烯应用于LED散热透明电极。孙捷教授在报告中展示了，2寸氮化镓外延晶圆生长石墨烯前后的表面AFM照片。并通过数据分析显示生长石墨烯后，样品表面粗糙度仅为0.604 nm。分析了氮化镓上直接PECVD生长石墨烯的拉曼光谱图发现，单次扫描谱线，2700 cm-2的2D峰很明显，分析特征峰比率的二维分布图，显示了材料的高度均匀性。并观察二寸GaN LED晶圆上制备的石墨烯LED器件之工艺实拍照片，可见，器件已完全实现阵列化，工艺重复性好，实现了项目最初的出发点，突破原理性器件，使实用化成为可能。

 

同时，报告还介绍了关于CVD生长二维半导体存在的大面积高质量生长（含掺杂、异质结）和二维晶体与氮化镓基半导体集成技术难题。以及通过纳米孔中的非辐射能量转移提高 μ-LED 的 QD 颜色转换效率等研究进展。