期间,“SSLCHINA 2021:半导体照明芯片、封装、模组及可靠性”分论坛由广东中民工业技术创新研究院有限公司、旭宇光电(深圳)股份有限公司、有研稀土新材料股份有限公司、江苏博睿光电有限公司联合协办支持。会上,武汉大学动力与机械学院周圣军教授现场分享了“高效率氮化物蓝光/绿光/紫外LED外延生长与芯片制造技术”主题报告。
GaN基LED具有发光波长可调、发光效率高、节能、环保、寿命长、体积小等优点,在汽车照明、高分辨率全彩显示、可见光通信、光遗传、通用照明等领域具有重要的应用价值。
报告介绍了,利用MOCVD原位生长技术、激光加工技术、ICP刻蚀技术、TMAH湿法腐蚀技术在LED芯片的不同位置引入微纳光学结构,提升LED芯片的光提取效率。汽车大灯和特种照明应用领域需要大电流驱动LED芯片,针对大电流驱动条件下,电流聚集导致LED芯片电注入难的问题,设计与制造了一种三维倒装结构LED芯片,通过阵列分布的三维通孔电极,缩短电流横向扩展长度,使电流分布更加均匀,解决了电流聚集问题,使蓝光LED芯片的电注入效率达到99%,光输出饱和电流密度提升了一倍。
在绿光LED外延结构中引入InGaN/GaN超晶格,通过调节InGaN/GaN超晶格生长温度和周期对V-pits的密度和尺寸进行调控,利用V-pits屏蔽位错提升绿光LED芯片的外量子效率。发展溅射AlN成核层/图形衬底模板技术,不仅降低了氮化物材料位错密度,而且提升了紫外LED芯片的光提取效率,为发展高效率紫外LED提供技术支撑。
(内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)