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武汉大学周圣军教授:高效率氮化物蓝光/绿光/紫外LED外延生长与芯片制造技术

放大字体  缩小字体 发布日期:2021-12-13 来源:中国半导体照明网浏览次数:589
近日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)联合主办,北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳会展中心举行。
周圣君2
期间,“SSLCHINA 2021:半导体照明芯片、封装、模组及可靠性”分论坛由广东中民工业技术创新研究院有限公司、旭宇光电(深圳)股份有限公司、有研稀土新材料股份有限公司、江苏博睿光电有限公司联合协办支持。会上,武汉大学动力与机械学院周圣军教授现场分享了“高效率氮化物蓝光/绿光/紫外LED外延生长与芯片制造技术”主题报告。
周圣军
GaN基LED具有发光波长可调、发光效率高、节能、环保、寿命长、体积小等优点,在汽车照明、高分辨率全彩显示、可见光通信、光遗传、通用照明等领域具有重要的应用价值。
 
报告介绍了,利用MOCVD原位生长技术、激光加工技术、ICP刻蚀技术、TMAH湿法腐蚀技术在LED芯片的不同位置引入微纳光学结构,提升LED芯片的光提取效率。汽车大灯和特种照明应用领域需要大电流驱动LED芯片,针对大电流驱动条件下,电流聚集导致LED芯片电注入难的问题,设计与制造了一种三维倒装结构LED芯片,通过阵列分布的三维通孔电极,缩短电流横向扩展长度,使电流分布更加均匀,解决了电流聚集问题,使蓝光LED芯片的电注入效率达到99%,光输出饱和电流密度提升了一倍。
 
在绿光LED外延结构中引入InGaN/GaN超晶格,通过调节InGaN/GaN超晶格生长温度和周期对V-pits的密度和尺寸进行调控,利用V-pits屏蔽位错提升绿光LED芯片的外量子效率。发展溅射AlN成核层/图形衬底模板技术,不仅降低了氮化物材料位错密度,而且提升了紫外LED芯片的光提取效率,为发展高效率紫外LED提供技术支撑。

(内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)

 
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