近日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
期间，由广东中民工业技术创新研究院有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司协办支持的“Mini/Micro-LED技术“分会如期举行。会上，台湾阳明交通大学特聘教授郭浩中做了题为”用于显示器和可见光通讯的灵活全彩Micro-LED“的视频主题报告，分享了嵌入量子点的高均匀性和高效率纳米多孔氮化镓用于颜色转换Micro-LED显示器、具有VLC应用潜力的高稳定性全彩显示设备、高速绿色半极性μLED阵列等方面的最新研究进展与成果。
研究显示，纳米多孔GaN Micro-LED阵列需要3μm的厚度才能实现高色彩转换，展示了发散角小、成本低的优势；通过微型喷墨打印技术将量子点加载到纳米孔中，以实现全彩色显示应用；绿色和红色NPQD Micro-LED由于光程长，实现了90.3%和96.1%的高光转换效率，增加了激发QD的机会；NP-GaN中绿色和红色QD的高照度均匀度分别为90.7%和91.2%，并实现了97.3% NTSC和89.2% Rec.2020的宽色域。半极性μLED显示开启电压为3.6V，波长偏移为 2.7nm，效率下降69%@7076.4A/cm2，光谱FWHM稳定。
PNC-μLED器件显示出显著的色彩稳定性和宽色域特性，由半极性μLED和PNC组装而成的RGB像素达到了NTSC的127.23% 和Rec.2020 的95.00%。通过引入芯片结构优化和ALD钝化，该器件显示了655 MHz的最高3-dB带宽，峰值波长为451 nm@7076.4A/cm2。
半极性 μLED阵列在宽工作范围内显示2.5V 的开启电压、10.2nm的波长偏移和 9.48nm的光谱FWHM。0.33比率的良好极化特性有利于VLC应用，通过引入优化的芯片结构和ALD钝化，器件显示了1125MHz@2.5kA/cm2的最高3-dB 带宽。对于NRZ-OOK格式和位加载离散多音 (BL-DMT)QAM-OFDM，22个绿色μ-LED阵列实现了超过1.5Gbit/s和5.5Gbit/s的最大数据速率。
嘉宾简介
郭浩中教授，师承红光LED之父Nick Holonyak院士及Gregory Stillman院士，专长化合物半导体、半导体镭射、III-V族第三代化合物半导体元件开发与应用，在光电领域拥有超过20年的研究资历，在ACS Nano、ACS Nano Lett.、Advanced Materials、Optics Express, APL, IEEE PTL等国际顶尖学术期刊发表累积发表超过500篇国际期刊及300篇国际研讨会论文，论文引用总数达16738次，H-index指数58，获得国内外专利37件、专书4本。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
