近日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
期间，由广东中民工业技术创新研究院有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司协办支持的“Mini/Micro-LED技术“分会如期举行。会上，上海大学任开琳做了题为“一种新型氮化镓基Micro-LED及其驱动HEMT的单片集成结构”的主题报告。报告提出了一种新型的显示器件及其驱动器件的单片集成结构。
在高电子迁移率晶体管（HEMT）的漏极下添加P-GaN帽层，在AlGaN/GaN之间插入一层或多层InGaN量子阱，以实现氮化镓基Micro-LED及其驱动HEMT的单片集成。由于这种结构消除了金属互连，降低了寄生电阻和电容，因此有潜力应用于高速可见光通信的发射端。
在高电子迁移率晶体管（HEMT）的漏极下添加P-GaN帽层，在AlGaN/GaN之间插入一层或多层InGaN量子阱，以实现氮化镓基Micro-LED及其驱动HEMT的单片集成。由于这种结构消除了金属互连，降低了寄生电阻和电容，因此有潜力应用于高速可见光通信的发射端。
研究通过TCAD仿真研究该结构中辐射复合的分布，并比较了不同器件结构下辐射复合率的二维积分，从而优化了AlGaN势垒层中Al含量、InGaN层中In含量和InGaN层厚度等器件结构参数。TCAD仿真结果表明，插入两层InGaN/GaN的集成结构比一层InGaN的集成结构具有更高的辐射复合。
任开琳博士，上海大学微电子学院讲师。博士毕业于新加坡国立大学电子与计算机工程系，研究方向为功率半导体器件。2021年加入上海大学微电子学院张建华教授领衔的硅基微显示研究团队，从事硅基Micro-LED微显示技术研发和车规级功率集成芯片热测试及可靠性检测研究。近三年在IEEE Transactions on Electron Devices、Applied Physics Letters、IEEE Journal of the Electron Device Society、Journal of Applied Physics等微电子器件领域权威期刊上发表SCI论文7篇、EI论文11篇，参与了上海市“科技创新行动计划”高新技术领域专项及多项新加坡教育部基金项目，为IEEE Transactions on Electron Devices、IEEE Journal of the Electron Device Society、Superlattices and Microstructures等期刊担任审稿人。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
