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中南大学教授汪炼成:3D显示用单芯片垂直结构Micro LED器件研究

放大字体  缩小字体 发布日期:2021-12-15 来源:中国半导体照明网浏览次数:949
近日,第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛(IFWS & SSLCHINA 2021)在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)联合主办,北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
 汪炼成
期间,由广东中民工业技术创新研究院有限公司、中微半导体设备(上海)股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司协办支持的“Mini/Micro-LED技术“分会如期举行。3D显示是以三维立体形态呈现视觉图像的技术,代表着显示技术和产品发展前沿。中南大学教授汪炼成做了题为“3D显示用单芯片垂直结构Micro LED器件研究”的主题报告。
 
3D显示中双图象3D显示实现的关键在于让视差图像分别进入视点左右眼。辅助3D包括偏振式、机械式。裸眼3D涉及柱透镜、屏障式,指向背光3D显示等。结合偏振式3D显示、指向背光3D显示、Micro-LED 3D显示、Micro-LED发光偏振调控、Micro-LED指向及光束调控等的研究进展。报告从圆偏振Micro-LED、指向发光Micro-LED、谐振腔Micro-LED 等方面,具体介绍了3D显示用Micro-LED技术的最新研究成果。




 
研究结果显示,3D Micro-LED 显示具有Micro-LED优势和3D特征。垂直结构LED器件可为垂直结构和倒装薄膜Micro-LED器件技术基础。垂直结构Micro-LED器件是高PPI,3D显示的重要选择。 在3D显示用单芯片Micro-LED,包括原位集成谐振腔+metasurface圆偏振Micro-LED,线偏振Micro-LED,指向发光Micro-LED,谐振腔Micro LED器件方面做了一些初步的工作。 谐振腔Micro-LED器件研制:尺寸30 μm,FWHM为15 nm,半角约为122°,器件开启电压为4.1 V (@100 μm) 。高阶Micro-LED 显示对像素器件更多需求和创新空间。
 
 
(内容根据现场资料整理,如有出入敬请谅解)
 
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