近日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心举行。本届论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办，北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办。
期间，由广东中民工业技术创新研究院有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司协办支持的“Mini/Micro-LED技术“分会如期举行。
GaN材料在光电、电力电子、可见光通信、生物医学、雷达等领域具有巨大的应用潜力。会上，南京大学电子科学与工程学院许非凡做了题为“GaN基Micro-LED光源的高速可见光通信研究”的主题报告，从不同QW厚度的C面Micro-LED、基于半极性Micro-LED的VLC、纳米结构Micro-LED的特性等角度具体分享了最新研究进展。
研究结果显示，超薄QW有源区加速了载流子的复合，实现了1.01 GHz 的最大调制带宽。半极性VLC Micro-LED 在VLC上具有超低功耗。具有纳米结构的Micro-LED可以提高发光并实现更高的调制带宽。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
