期间，由广东中民工业技术创新研究院有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司协办支持的“Mini/Micro-LED技术“分会如期举行。
会上，复旦大学袁泽兴做了题为“通过调整量子阱数量提高Micro-LED 的外量子效率”的主题报告，与LCD和OLED相比，GaN基Micro-LED显示器具有低功耗、高亮度和卓越的可靠性等特点，被认为是下一代显示技术。然而，Micro-LED 的低外量子效率 (EQE) 仍然是制造高效Micro-LED 显示器的一个问题。已经有一些研究来解决这个问题，例如减少量子势垒的厚度、使用选择性过度生长技术和钝化侧壁缺陷，但该问题仍有待进一步解决。
研究提出了一种通过改变量子阱（QW）数量来提高Micro-LED的EQE的方法。在这项工作中，分别通过MOCVD生长了具有3、6 和10对不同量子阱 (QW) 数的绿色外延晶片。并基于这些外延片制作了直径为80μm的绿色微型LED并进行了测量。
HR-XRD结果表明外延材料的质量随着QW数的增加而逐渐提高。与EQE分别为1.1% 和1.73%的3对和6对QW相比，10对的EQE在1 A/cm2 时达到 7.4%。随着QW数量的增加，峰值波长在1 A/cm2 处显示蓝移，随着电流密度的增加，蓝移逐渐减小。预计这项工作将提供一种方法来优化用于显示技术的绿色微型LED的量子效率。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
