期间，由广东中民工业技术创新研究院有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、北京康美特科技股份有限公司协办支持的“Mini/Micro-LED技术“分会如期举行。
III族氮化物材料体系具有红外到深紫外光谱覆盖范围大、能带隙宽、电子饱和速度高、电击穿场强、极化效应强等独特性能，从光电到电力电子领域，应用范围广泛。近年来，III族氮化物材料在交叉学科中的应用越来越受到研究人员的关注。
中山大学中山大学电子与信息工程学院教授张佰君做了”单颗电驱动金字塔结构InGaN/GaN Micro-LED及其在光遗传学中的应用“的主题报告。
在过去的十年中，GaN基器件在学术和商业上都取得了很大进展，例如固态照明 (SSL) 和显示应用中的 LED、射频放大应用中的高电子迁移率晶体管 (HEMT)、功率电子器件中的功率电子器件等。
报告指出，GaN基器件具有体积小、生物相容性好等优点，未来将在生物医学领域得到广泛应用。报告介绍了电驱动的单棱锥GaN基微型LED，以及基于GaN的集成生物神经探针的研究成果，研究显示该方向在光遗传学领域具有应用潜力。
张佰君教授，主要研究高速、高功率的 InGaAsP/InP 半导体激光器。1998年至2000年在中国科学院半导体研究所从事博士后研究，主要从事高速半导体激光器的封装和单片集成分布式反馈（DFB）激光器和电吸收（EA）的制造调制器。2000年加入日本名古屋工业大学纳米器件与系统研究中心，任日本学术振兴会（JSPS）特约研究员。此后一直从事GaN材料与器件研究。他的工作包括发光二极管 (LED) 和电子设备。2006年加入广州中山大学光电材料与技术国家重点实验室，任教授。他目前的兴趣集中在 GaN 基半导体材料的生长和器件制造，包括 GaN 基光电器件、pH 传感器、太赫兹器件和集成光极。
（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）
