公告显示，公司于2017年6月与南昌高新技术产业开发区管理委员会签署投资协议，在南昌高新区投资建设集研发、生产与销售为一体的LED外延及芯片生产基地，项目成立至今已实现在化合物半导体LED领域的氮化镓及砷化镓4英寸芯片65万片/月产能，产品覆盖了化合物半导体LED全产品领域(照明、背光与显示)。同时，公司于南昌高新区新建的RGB小间距LED显示模组厂房已基本完成，预计2022年下半年投产。
本次公司计划在南昌高新区继续投资建设Mini LED芯片及RGB小间距LED显示模组项目，项目预计总投资50亿元，其中设备投资约25亿元。项目计划采购52腔MOCVD设备及相应产能芯片及配套设备用于生产氮化镓Mini LED芯片，同时新增300-500条采用COB技术的小间距LED显示模组产线。项目预计于2023年完成设备安装调试并正式投入运营。
