加快推进新市场开发
年报显示，2021年，在通用照明出口带动、显示市场回暖、Mini背光渗透率迅速提升等因素的带动下，LED行业整体回温。受益于出口替代转移效应的持续、国内宏观经济复苏以及Mini新兴市场起量，LED行业从疫情中步入复苏，但受疫情反复及行业周期性等因素影响，行业整体复苏进程较为曲折。
报告期内，公司加大对新市场新领域的开拓，优化客户结构及产品结构，提升核心产品在中高端市场的竞争力和市场份额，加快推进新市场新客户开发。公司紧跟行业发展动态，重点布局照明、显示、背光等应用领域新兴市场，同时开辟第三代半导体新赛道。
MiniLED方面，目前公司产品布局实现P1.5-P0.4全系列覆盖。其中，公司在报告期内推出的IMDM04产品率先采用了全球封装密度最高20in1MiniLED技术方案。IMD-M09实现量产并荣获“LED显示供应链创新年度产品奖”；MiniLED背光方面，公司坚持MiniPOB、MiniCOB及MiniCOG三大封装技术路线并行发展，应用场景覆盖TV、高阶显示器、PAD、笔电、车载等终端显示领域。报告期内，公司MiniLED背光产品实现批量出货，并与国际知名大厂达成战略合作关系。
MicroLED方面，自2018年公司成立国内“Micro&MiniLED研究中心”以来，研究中心积极进行前瞻技术储备，为超高清显示发展奠定坚实的技术基础。报告期内，公司成功开发出高一致性像素化量子点色转换彩膜制备技术，有效解决了MicroLED红光芯片良率低、光效低、巨量转移难度高的技术痛点，进一步提高良率，减少修复，从而降低成本，对推动高分辨率MicroLED全彩化显示有着重要的意义。
积极布局第三代半导体
第三代半导体方面，报告期内，国星光电推出了SiC功率分立器件、SiC功率模块、GaN器件3大系列产品。其中，SiC功率模块及GaN器件新品实验线已投入生产运作，可迅速响应对接客户个性化的需求；SiC功率分立器件产品产线已投入使用，并完成了多个合作商的试产订单。
同时，公司也积极布局三代半上游外延芯片领域，子公司国星半导体现已具备硅基GaN芯片相关技术储备，并积极与高校和研究所展开GaN功率器件等的研发工作，并参与了两项第三代半导体方向的省级研发项目。
在高端细分市场及新兴应用领域方面，公司在报告期内率先推出了全无机UVLED产品，现已形成完善的全无机UVLED产品系列；UVCLED依托较为先进的封装工艺和光学设计，在国内率先将中小功率产品WPE提升至5.6%；在新兴领域，公司推出智能健康感测器件并实现量产，产品可广泛应用于智能手表、智能手环、VR等设备场景，目前公司正与国内外品牌厂商联手合作，共同发力可穿戴设备新赛道。
报告期内，公司牵头、联合华南理工大学等高校共建的“广东省半导体微显示企业重点实验室”，专注超高清半导体微显示领域研究，取得全球首发的P0.4IMD、研制行业最高发光效率的量子点LED器件等多项突破；截至2021年12月31日，公司及子公司共申请专利1016项，授权专利数量共704项，其中，Micro/Mini领域公司申请国内外专利202项。
国星光电表示，Mini/MicroLED作为新一代核心显示技术，具有不可替代的优势，正逐步成为新型显示市场的主流解决方案。2021年以来，业内诸多龙头企业相继发布相关产品，Mini/MicroLED新型显示技术的产业化应用进入了关键时期，随着投资企业不断增加，产业链参与范围不断扩大，在政府、企业和资金的共同推动下，Mini/MicroLED产业发展将进入快车道
