三星平泽P3晶圆厂下月开始设备的安装，是韩国媒体率先援引消息人士的透露报道的，设备的进入及安装将持续到7月份，较最初计划的时间将提前1个月。
三星电子在平泽建设的P3工厂，占地70万平方米，将成为全球园区最大的晶圆厂，是三星电子P2工厂的1.7倍。当然，工厂的投资也会相当庞大，他们计划未来几年最少投资30万亿韩元，最多则投资50万亿韩元，也就是至少投资240亿美元，最高投资400亿美元。
从外媒的报道来看，三星电子平泽P3晶圆厂，规划的是一座既生产存储芯片，又生产逻辑芯片的工厂，率先投产的是NAND闪存，随后是DRAM，随后是采用3nm工艺为其他厂商代工晶圆的生产线。
三星电子平泽P3晶圆厂率先开始生产NAND闪存，也就意味着工厂设备的安装，将从NAND闪存生产设备开始，外媒在报道中是表示在5月份的第一个周就将开始安装。
值得注意的是，三星电子的这一座工厂，将大量采用极紫外光刻机。外媒在报道中就提到，这一工厂的NAND闪存生产线，将采用极紫外光刻机生产第7代176层V-NAND闪存，为其他厂商代工晶圆的3nm工艺，也需要极紫外光刻机。
